CIP-2021 : G11C 17/14 : en las cuales el contenido está determinado estableciendo,
rompiendo o modificando selectivamente las uniones de conexión por una modificación definitiva del estado de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias PROM.
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G FISICA.
G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.
G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).
G11C 17/00 Memorias de sólo lectura programables una sola vez; Memorias semipermanentes, p. ej. tarjetas de información que pueden ser reemplazadas a mano.
G11C 17/14 · en las cuales el contenido está determinado estableciendo, rompiendo o modificando selectivamente las uniones de conexión por una modificación definitiva del estado de los elementos de acoplamiento, p. ej. memorias PROM.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO PARA EL RECUBRIMIENTO DE SUPERFICIES ELECTRICAMENTE NO CONDUCTORAS MEDIANTE ESTRUCTURAS METALICAS CONECTADAS.
(16/05/2000). Solicitante/s: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Inventor/es: MIDDEKE, HERMANN-JOSEF, TENBRINK, DETLEF.
DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION, LAS ESTRUCTURAS METALICAS DEFINIDAS DE FORMA AGUDA PUEDEN SER ELABORADAS SOBRE SUPERFICIES NO CONDUCTORAS ELECTRICAMENTE SIN LA UTILIZACION DE PROCESOS DE ATAQUE AL ACIDO UTILIZANDO UN PROCESO QUE INCLUYE LAS SIGUIENTES ETAPAS DE PROCESO ESENCIALES: APLICACION DE UN CATALIZADOR ADECUADO PARA DEPOSICION METALICA SIN CORRIENTE; FORMACION SUBSECUENTE DE ESTRUCTURAS INTERCONECTADAS SOBRE LAS SUPERFICIES UTILIZANDO TECNOLOGIA DE ENMASCARAMIENTO; DEPOSICION SIN CORRIENTE DE UNA CAPA METALICA DELGADA INICIAL SOBRE REGIONES SUPERFICIALES RECUBIERTAS CATALITICAMENTE QUE HAN SIDO EXPUESTAS SIGUIENDO LA ACCION DE PROCESOS DE ESTRUCTURADO; DEPOSICION ELECTROLITICA DE UNA CAPA METALICA SECUNDARIA SOBRE LA CAPA METALICA PRIMARIA QUE FORMA ESTRUCTURAS INTERCONECTADAS.
RED LOGICA PROGRAMABLE INTEGRADA.
(01/11/1994). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: NEU, GEORGES.
CADA PUNTO DE PROGRAMACION DE LA RED LOGICA PROGRAMABLE CONFORME AL INVENTO ESTA HECHO POR UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (N1), CUYA REJILLA Y DRENAJE ESTAN RESPECTIVAMENTE CONECTADAS A LAS LINEAS DE ENTRADA (LX) Y DE SALIDA (LY) Y CUYA FUENTE ESTA UNIDA, POR UNA PARTE, AL POTENCIAL DE REFERENCIA POR INTERMEDIO DEL TRAYECTO DRENAJE FUENTE DE UN SEGUNDO TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (N2) QUE TIENE SU REJILLA CONECTADA A LA LINEA DE SALIDA (LY) Y POR OTRA PARTE, A LA BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR (Q) QUE TIENE SU TRAYECTO EMISOR-COLECTOR DISPUESTO ENTRE UNA LINEA DE MASA (LG) Y DICHA LINEA DE SALIDA (LY). UNA RED CONFORME AL INVENTO TIENE UNA VELOCIDAD DE FUNCIONAMIENTO ACRECENTADA Y PUEDE APLICARSE EN UNA MEMORIA MUERTA O EN CIRCUITOS PLA.