(16/05/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: SEIKO EPSON CORPORATION. Inventor/es: TAKAGI, TETSUO.

Un cartucho de tinta que comprende un circuito integrado semiconductor que tiene un modo de bajo consumo de energía en el cual el consumo de energía es más bajo que en un modo de operación normal que realiza una operación normal, comprendiendo dicho circuito integrado semiconductor medios de control (G8, INV) para controlar una conmutación a dicho modo de bajo consumo de energía en respuesta a una conclusión de una operación de impresión que usa el cartucho de tinta, y comprendiendo además medios de almacenamiento para almacenar datos predeterminados en direcciones especificadas, y medios de creación de direcciones para crear secuencialmente direcciones especificadas para dichos medios de almacenamiento, en el que se inicializa dicha dirección cuando la operación se conmuta al modo de consumo bajo de energía en respuesta a dichos medios (G8, INV) de control.

(16/05/1994). Solicitante/s: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA TOSHIBA MICRO-COMPUTER ENGINEERING CORPORATION. Inventor/es: YAMAZAKI, AKIHIRO, KIYOHARA, KATSUYA.

EN LA MEMORIA NO VOLATIL DEL PRESENTE INVENTO UN CIRCUITO DE ESCRITURA SE CONECTA ENTRE LINEAS DE BIT (BL) Y UNA TERMINAL DE VOLTAJE (VPP) DE HABILITACION DE ESCRITURA, Y TIENE AL MENOS DOS TRANSISTORES DE ESCRITURA METAL OXIDO SEMICONDUCTOR -MOS- CONECTADOS ENTRE SI EN SERIE. PUESTO QUE SE ENCUENTRAN ASI CONECTADOS AL MENOS DOS TRANSISTORES MOS, EL EFECTO DE PERFORACION SE REDUCE INCLUSO SI TIENEN LUGAR RUIDOS EN UN SISTEMA DE VOLTAJE DE ESCRITURA. INCLUSO EN EL CASO EN EL QUE TENGA LUGAR UN EFECTO DE PERFORACION DEBIDO A LA PRESENCIA DE UNA FUENTE ENERGETICA Y DE LOS TRANSISTORES , SE REDUCE EL VOLTAJE DE LA LINEA DE BIT (BL), IMPIDIENDO ASI QUE TENGA LUGAR UN ERROR DE ESCRITURA EN RELACION A LOS TRANSISTORES DE CELDA DE MEMORIA (MC).

(16/02/1994). Solicitante/s: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.

LA CELULA MOS CON TENSION DE UMBRAL AJUSTABLE ES UNA CELULA DE DEMORIA, PROGRAMABLE Y BORRABLE ELECTRICAMENTE POR ALMACENAMIENTO DE CARGAS POR EFECTO TUNEL BAJO UNA REJILLA FLOTANTE. PARA LA OBTENCION DE UN CIRCUITO CON TENSION DE UMBRAL AJUSTABLE, LA CELULA SE "PROGRAMA" EN PRIMER LUGAR A CERO DE FORMA QUE TODAS LAS CARGAS ALMACENADAS SEAN EVACUADAS, DESPUES "BORRADA" CON FUENTE DE LA MASA, DRENAJE LLEVADO A FUERTE POTENCIAL Y REJILLA DE CONTROL LLEVADA AL POTENCIAL DESEADO PARA LA TENSION DE UMBRAL VT DEL CIRCUITO. AL FINAL DE ESTA FASE SE AJUSTA LA TENSION DE UMBRAL. APLICACION EN ESPECIAL EN CIRCUITOS DE TECNILOGIA MOS, REFERENCIAS DE TENSION PRECISAS, CIRCUITO DE TIPO DETECTOR O CONVERTIDOR ANALOGICO NUMERICO.

(16/01/1994). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SCHRENK, HARTMUT.

PROCEDIMIENTO PARA EVITAR UNA PROGRAMACION DE VALORES LIMITE EN CELULAS DE MEMORIA EN UNA MEMORIA DE PROGRAMACION ELECTRICA. DESPUES DEL PROGRAMADO, CADA CELULA DE MEMORIA ES LEIDA SOBRE EL CONTENIDO DE LA MISMA Y SOLO EN EL CASO QUE DURANTE EL PROCESO DE LECTURA SE RECONOZCA QUE LA CELULA ESTA PROGRAMADA, UNA SEÑAL DE PERMISO POSIBILITA EL ACCESO A LAS FUNCIONES PROTEGIDAS. SEGUN EL INVENTO EN ESTE PROCESO DE LECTURA JUSTO DESPUES DEL PROGRAMADO EL PENDULO DE VALORACION SE AJUSTA DE FORMA MAS CRITICA, QUE EN OTROS PROCESOS DE LECTURA.

(01/08/1991). Solicitante/s: BLANCH MURILLO, SERGIO.

CONMUTADOR DE MEMORIAS ROM PARA ORDENADORES. COMPRENDE UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO PORTADORA DE DOS ZOCALOS SUSTENTADORES DE SENDOS CIRCUITOS INTEGRADOS A CONMUTAR, UN DISPOSITIVO CONECTOR MACHO CON DOS FILAS DE PATILLAS METALICAS EQUIVALENTES A LAS PATILLAS DE UN CIRCUITO INTEGRADO DE MEMORIA ROM, Y EN UNO DE LOS BORDES, UNA PARTE DE UN CONECTOR SEPARABLE POR EL ACOPLAMIENTO DE UN CONDUCTOR MULTIPLE. APLICABLE A LA CONEXION SELECTIVA A VOLUNTAD DE UNA U OTRA MEMORIAS ROM A UN ORDENADOR EQUIPADO INICIALMENTE CON UNA SOLA MEMORIA ROM.

(16/05/1991). Solicitante/s: THOMSON COMPOSANTS MILITAIRES ET SPATIAUX. Inventor/es: FRUHAUF, SERGE, MARQUOT, ALEXIS.

EL PRESENTE INVENTO CONSISTE EN UN DISPOSITIVO DE SEGURIDAD PARA LA PROGRAMACION DE UNA MEMORIA NO VOLATIL PROGRAMABLA ELECTRICAMENTE. EN UNA MEMORIA CONSTITUIDA POR UNA MATRIZ DE CELULAS-MEMORIA ACCESIBLES CADA UNA POR LINEAS Y COLUMNAS Y LIGADAS A CIRCUITOS DE ESCRITURA (E) Y DE LECTURA (L), PERMITIENDO RESPECTIVAMENTE PROGRAMARLAS EN DOS ESTADOS "1" O "0" SEGUN LOS DATOS DE ENTRADA Y LECTURA EL ESTADO PROGRAMADO. LAS CELULAS-MEMORIA SON DEL TIPO QUE NECESITA UNA CORRIENTE DE PROGRAMACION PARASER PROGRAMADOS EN UN PRIMER ESTADO O "1" Y NO NECESITAN NINGUNA CORRIENTE PARA SER PROGRAMADAS EN UN SEGUNDO ESTADO O "0". EL DISPOSITIVO DE SEGURIDAD ESTA CONSTITUIDO POR CIRCUITO DE SIMULACION (E2) ACTIVADO POR LOS DATOS CORRESPONDIENTE A UNA PROGRAMACION DE "0" Y SURTIENDO UNA CORRIENTE IDENTICA A LA DE LA CELULA-MEMORIA EN CONDICION DE PROGRAMACION DE "1". EL INVENTO SE APLICA PRINCIPALMENTE EN LAS MEMORIAS EPROM UTILIZADAS EN LAS TARJETAS DE MEMORIA.

(16/10/1990). Ver ilustración. Solicitante/s: CIRSA COMAP/IA DE INVERSIONES, S.A. Inventor/es: LAO HERNANDEZ, JUAN.

PERFECCIONAMIENTO EN CAJAS DE CONTROL PARA MAQUINAS RECREATIVAS. LOS PERFECCIONAMIENTOS SON APLICABLE A AQUELLAS MAQUINAS RECREATIVAS QUE INCORPORAN VARIOS CONTADORES PARA CONTABILIZAR MONEDAS INTRODUCIDAS, MONEDAS PAGADAS, DISTINTOS TIPOS O VALORES DE MONEDAS, ETC., CUYO CONTROL SE EFECTUA ANOTANDO LOS VALORES DE CADA CONTADOR Y REALIZANDO LAS OPERACIONES OPORTUNAS PARA CONOCER LOS DATOS REFERIDOS. LOS PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN ESTE TIPO DE MAQUINAS SE BASAN EN QUE ENTRE EL MICROPROCESADOR CENTRAL Y EL CORRESPONDIENTE MODULO DE MEMORIA DE LA MAQUINA, SE HA PREVISTO UNA CONEXION BIDIRECCIONAL. TAMBIEN SE HA PREVISTO COMO NOVEDAD QUE ENTRE EL MODULO DE MEMORIA Y LA CORRESPONDIENTE UNIDAD EXTERNA O TERMINAL DE DATOS SE INTERCALE, TAMBIEN MEDIANTE CONEXION BIDIRECCIONAL, UN MODULO DE TRANSMISION QUE ESTABLECE LA ADECUADA CONVERSION DEL FORMATO DE LA SEÑALES ELECTRICAS EN LA COMUNICACION ENTRE EL MICROPROCESADOR CENTRAL Y ESA UNIDAD EXTERNA.

(01/05/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: NINTENDO CO., LTD.. Inventor/es: NAKAGAWA, KATSUYA.

CARTUCHO DE MEMORIA PARA COMPUTACION. COMPRENDE UN ESTUCHE, Y UNA PLACA DE CIRCUITO IMPRESO MONTADA DENTRO DEL MISMO EN EL QUE VA MONTADO UN CHIP DE MEMORIA ROM DE AMPLIA CAPACIDAD, QUE ESTA DIVIDIDA EN UNA PLURALIDAD DE BANCOS DIRECCIONABLES POR UNA UNIDAD DE PROCESADO CENTRAL. UN BANCO ESPECIFICO ES DIRECCIONADO CONSTANTEMENTE POR LA UNIDAD DE PROCESO CENTRAL. LOS DATOS DE SELECCION DE OTROS BANCOS SE ALMACENAN EN ESE BANCO ESPECIFICO. LOS DATOS SON LEIDOS CON AVANCE DE UN PROGRAMA ALMACENADO EN EL BANCO ESPECIFICO, QUE ESTA CARGANDO EN UN CONTADOR. EL CONTENIDO DEL CONTADOR SE PASA A LOS TRES BITIOS MAS SIGNIFICANTES DE LA DIRECCION DE LA ROM. ESTOS TRES BITIOS MAS SIGNIFICATIVOS ACTUAN COMO BITIOS DESIGNADORES DE BANCO. UN BANCO ARBITRARIO DE LA ROM ES PASADO A UN TIEMPO ARBITRARIO POR LA SALIDA DE DATOS SELECTORES DE BANCO A PARTIR DE LOS OTROS BANCOS DE LA ROM.

(16/03/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Un dispositivo semiconductor que tiene una memoria permanente, que comprende un cuerpo semiconductor que tiene una región superficial adjunta a una superficie de principalmente un primer tipo de conductividad en la que hay dispuestas un número de zonas superficiales de forma de tira, yuxtapuestas y paralelas, del segundo tipo de conductividad, estando cubierta la superficie con una capa aislante sobre la que hay dispuestas un número de pistas conductoras yuxtapuestas, paralelas y de forma de tira, que cruzan las zonas superficiales de forma de tira, donde dependiendo de la información almacenada en la memoria, las pistas conductoras en el área de los cruces puede conectarse con las zonas de forma de tira por medio de una unión rectificadora a a través de ventanas dispuestas en la capa aislante.

(16/01/1977). Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.

Resumen no disponible.

(01/08/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

(01/12/1975). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINES MACHINES CORPORATION..

Una disposición de diodo de barrera de Schottky apropiado para disponer en forma monolítica, que comprende a) un sustrato semiconductor y b) un sistema de más de un metal situado en dicho sustrato semiconductor para formar una unión de dicho de barrera Schottky.

(01/12/1975). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Una disposición de estructura monolítica que comprende: un sustrato semiconductor, más de unos medios de circuito integrado independientes y funcionales diferentemente, situados en dicho sustrato semiconductor, comprendiendo un primer medio de dichos más de unos medios de circuito integrado independientes y funcionales diferentemente una pluralidad de diodos de barrera Schottky situados en dichos sustratos semiconductor, comprendiendo cada uno de dicha pluralidad de diodos de barrera Schottky un sistema de mas de un metal en contacto de dicho sustrato semiconductor para formar uniones de diodo de barrera Schottky, un diseño metálico de interconexión dispuesto en dicho sustrato, estando destinada al menos una parte de dicho diseño metálico de interconexión a interconectar dicha pluralidad de diodos de barrera Schottky, y comprendiendo dicho diseño metálico de interconexión un sistema metálico que comprende dicho sistema de más de un metal.