CIP-2021 : H01S 3/106 : por control de un dispositivo situado en la cavidad (H01S 3/13 tiene prioridad).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00).
H01S 3/106 · · por control de un dispositivo situado en la cavidad (H01S 3/13 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Método y aparato para bloquear y escanear la frecuencia de salida de una cavidad láser.
(25/03/2020) Un sistema láser que comprende una cavidad láser y un aparato de bloqueo y escaneo para la cavidad láser , comprendiendo el aparato de bloqueo y escaneo: una cavidad de referencia exterior que tiene un sistema de accionamiento de cavidad de referencia para escanear una longitud de cavidad de referencia; y un circuito de bloqueo y escaneo conectado eléctricamente a un espejo piezoaccionado doble (6a, 6b) de la cavidad láser , en el que el circuito de bloqueo y escaneo comprende un generador de señales para generar una señal de error entre una salida de la cavidad láser y una salida de la cavidad de referencia…
Método y aparato para sincronizar y realizar barridos de la frecuencia de salida de una cavidad láser.
(15/03/2017). Solicitante/s: M Squared Lasers Limited. Inventor/es: MAKER,GARETH THOMAS.
Cavidad de referencia externa para sincronizar y realizar barridos de una cavidad láser , comprendiendo la cavidad de referencia externa un primer espejo de cavidad montado en un primer cristal piezoeléctrico de la cavidad de referencia, un segundo espejo de cavidad montado en un segundo cristal piezoeléctrico de la cavidad de referencia,
caracterizada por que
el primer y segundo cristales piezoeléctricos de la cavidad de referencia están montados mecánicamente dentro de la cavidad de referencia para permitir que la dilatación térmica del primer y segundo cristales piezoeléctricos de la cavidad de referencia mueva el primer y segundo espejos de cavidad en la misma dirección a lo largo de un eje longitudinal de la cavidad de referencia.
PDF original: ES-2624309_T3.pdf
(08/06/2016) Una fuente óptica que comprende:
I) una sección de cavidad de láser dispuesta entre un primer reflector óptico y un segundo reflector óptico, la sección de cavidad de láser comprende:
A. una sección de ganancia óptica; y,
B. una sección de control de fase óptica en comunicación óptica con la sección de ganancia, y configurada para poder cambiar la frecuencia de modo longitudinal de la fuente óptica;
y,
II) un filtro óptico externo y en comunicación óptica con la sección de la cavidad del láser; en el que: al menos uno de los primeros o segundos reflectores ópticos es un reflector óptico parcial; y, el filtro óptico está configurado para recibir luz láser desde uno de dichos al menos…
Arquitectura de resonador láser.
(13/04/2016). Solicitante/s: THALES HOLDINGS UK PLC. Inventor/es: LEE, STEPHEN, BORTHWICK,ANDREW, BYRNE,GERALD.
Un resonador de láser que comprende:
un acoplador (10a) de salida;
un reflector (10b) de extremo;
un retrorreflector ;
un telescopio ;
un medio de ganancia; caracterizado porque
el telescopio es un telescopio común, en el que el telescopio común es un telescopio compartido por al menos dos brazos o trayectorias (50a, 50b) del resonador, estando el telescopio común provisto en trayectorias de haces (50a, 50b) entre el retrorreflector y tanto el reflector (10b) de extremo como el acoplador (10a) de salida.
PDF original: ES-2581526_T3.pdf
LASER QUE COMPRENDE UN ELEMENTO ACTIVO BIRREFRINGENTE Y PROCEDIMIENTOPARA SU SINTONIZACION.
(14/02/2012) La presente invención se refiere a un láser que comprende un elemento activo birrefringente. El elemento activo birrefringente de dicho láser comprende al menos dos láminas , comprendiendo cada lámina un eje óptico , teniendo las al menos dos láminas el mismo espesor, siendo las al menos dos láminas paralelas entre sí y los ejes ópticos de las al menos dos láminas paralelos entre sí y dispuestos en el plano de la cara de entrada de la lámina . De este modo, el elemento activo puede actuar como sintonizador, no siendo necesario elementos adicionales para la sintonización del láser. Del mismo modo, se posibilita la sintonización del láser en toda la banda de longitudes de onda con un espesor suma de los espesores del láser de la invención, con valores de potencia equiparables
LASER SEMICONDUCTOR CON UNA ENTRADA OPTICA DE CONTROL.
(16/02/1996). Solicitante/s: ALCATEL CIT. Inventor/es: GABRIAGUES, JEAN-MICHEL, LE ROY, GUY.
EL PRESENTE DISPOSITIVO COMPRENDE UNA CAVIDAD LASER QUE TIENE UNA ZONA DE AMPLIFICACION LASER Y UNA ZONA DE ABSORCION SATURABLE . UN DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO ASIMETRICO QUE COMPRENDE UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA GUIA DE LUZ QUE TIENE, PARA LA LONGITUD DE ONDA DE EMISION LASER DE LA CAVIDAD, INDICES DE REFRACCION EFECTIVOS DIFERENTES, ESTANDO EL INDICE EFECTIVO DE DICHA PRIMERA GUIA AL MENOS CERCA DEL INDICE EFECTIVO DEL MODO LASER QUE SE PROPAGA EN DICHAS ZONAS DE AMPLIFICACION Y DE ABSORCION, ESTANDO DISPUESTA DICHA SEGUNDA GUIA PARA PODER SER ACOPLADA CON UNA FUENTE DE SEÑALES OPTICAS DE CONTROL. LA INVENCION SE APLICA A LOS DISPOSITIVOS DE LASER QUE SE PUEDEN PONER EN MARCHA OPTICAMENTE Y QUE PUEDEN SERVIR, POR EJEMPLO DE OPERADOR FOTONICO BIESTABLE, DE ELEMENTO REGENERADOR OPTICO Y DE ELEMENTO DE UN REGISTRO DE DECALAJE O DE LINEA DE RETARDO OPTICO DE SALIDAS MULTIPLES.
PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE.
(16/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: SCHILLING, MICHAEL, WUNSTEL, KLAUS, DR., IDLER, WILFRIED, BAUMS, DIETER, LAUBE, GERT, HILDEBRAND, OLAF.
A CAUSA DE LA INVENCION, SE OBTIENE UN PROCEDIMIENTO PARA LA UTILIZACION DE UN LASER DE SEMICONDUCTORES, QUE TIENE UNA CAVIDAD QUE SE EXTIENDE POR ENCIMA DE UN PLANO COPLANAR RESPECTO A LA SUPERFICIE BASICA DE UN SUBSTRATO , CON UNA ESTRUCTURA INTERRELACIONADA SENCILLA Y VARIAS ZONAS Y QUE SE UTILIZA COMO COMPONENTE OPTOELECTRONICO BIESTABLE DE LONGITUD DE ONDA, QUE EMITE LUZ EN FUNCION DE LA VARIACION DE LA DENSIDAD DE SOPORTE DE CARGA, EN AL MENOS UNA DE LAS ZONAS CON UNA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 1) O UNA SEGUNDA LONGITUD DE ONDA (LAMBDA 2).
(16/03/1991). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: BLOW, KEITH, JAMES, WOOD, DAVID CHARLES.
UN GENERADOR DE RADIACION EN EL QUE SUSTANCIALMENTE TODOS LOS MODOS DE RADIACION ESTAN CERRADOS CON RESPECTO UNOS DE OTROS QUE COMPRENDE UNA CAVIDAD GENERADORA DE RADIACION DEFINIDA POR ESPEJOS Y UN CRISTAL PARA LA GENERACION DE UN FLUJO CONTINUO DE PULSOS LIMITADOS NO TRANSFORMADOS DE RADIACION. UNA CAVIDAD EXTERNA QUE SE POSICIONA EN ASOCIACION CON LA CAVIDAD GENERADORA DE RADIACION DONDE LA RADIACION PUEDE PASAR EN AMBAS DIRECCIONES ENTRE LAS DOS CAVIDADES. LA CAVIDAD EXTERNA SE DEFINE POR UN MEDIO TENIENDO CARACTERISTICAS DE TRANSMISION NO LINEALES QUE PUEDE SER SUSTANCIALMENTE NO DISPERSIVO PARA LA RADIACION DE LA CAVIDAD GENERADORA.Y/O QUE TIENE UNA DISPERSION DE RETARDO DE GRUPO NEGATIVA. LA LONGITUD DEL CAMINO DE RADIACION ES TAL QUE LA CAVIDAD EXTERNA POR DONDE LA RADIACION SE TRANSMITE A TRAVES DE LA CAVIDAD EXTERNA ES RETROALIMENTADA POR LOS MEDIOS DE RETROALIMENTACION HACIA LA CAVIDAD GENERADORA DE RADIACION.