Fuente óptica.
Una fuente óptica que comprende:
I) una sección de cavidad de láser dispuesta entre un primer reflector óptico y un segundo reflector óptico,
la sección de cavidad de láser comprende:
A. una sección de ganancia óptica; y,
B. una sección de control de fase (2) óptica en comunicación óptica con la sección de ganancia, y configurada para poder cambiar la frecuencia de modo longitudinal de la fuente óptica;
y,
II) un filtro (4) óptico externo y en comunicación óptica con la sección de la cavidad del láser; en el que: al menos uno de los primeros o segundos reflectores ópticos es un reflector óptico parcial; y, el filtro óptico está configurado para recibir luz láser desde uno de dichos al menos un reflector óptico parcial y filtrar dicha luz recibida; y,
la fuente óptica está configurada para introducir luz filtrada en uno de dichos al menos un reflector óptico parcial; y caracterizado porque:
el filtro óptico comprende un filtro de película delgada óptico que comprende una respuesta de filtro de banda de paso; y,
la fuente óptica está configurada para cambiar la longitud de onda central de la respuesta de paso de banda del filtro óptico al cambiar el ángulo de incidencia que subtiende la luz láser de salida con el filtro de película delgada óptica.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2014/052326.
Solicitante: Rushmere Technology Limited.
Inventor/es: POUSTIE,ALISTAIR JAMES.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/106 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › por control de un dispositivo situado en la cavidad (H01S 3/13 tiene prioridad).
- H01S5/0625 H01S […] › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › en láseres con varias secciones.
- H01S5/065 H01S 5/00 […] › Acoplamiento de modos ("mode locking"); Supresión de modos; Selección de modos.
- H01S5/0687 H01S 5/00 […] › Estabilización de la frecuencia del láser.
- H01S5/10 H01S 5/00 […] › Estructura o forma del resonador óptico.
- H01S5/14 H01S 5/00 […] › Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).
- H01S5/40 H01S 5/00 […] › Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).
PDF original: ES-2667743_T3.pdf
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