CIP-2021 : C30B 29/48 : Compuestos A II B VI .
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Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54: - En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.
C30B 29/48 · · · Compuestos A II B VI .
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Aparato para crecimiento de cristales.
(22/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: Kromek Limited . Inventor/es: ROBINSON, MAX, BASU,ARNAB, CANTWELL,BEN.
Un aparato para crecimiento de cristales desde fase vapor, el aparato comprende:
un solo calentador multizona dispuesto para calentar una zona calentada para ofrecer un perfil de temperatura predeterminado a lo largo de la longitud de la zona calentada;
un tubo generalmente con forma de U dispuesto para ser proporcionado dentro de la zona calentada, el tubo generalmente con forma de U tiene una primera rama, una segunda rama y una unión que conecta las ramas primera y segunda, en donde la primera rama tiene una primera longitud y la segunda rama tiene una segunda longitud diferente de la primera longitud, y en donde la primera rama tiene una región de origen dispuesta para contener un material de origen; y,
un soporte para soportar una semilla en la segunda rama de tal manera que el soporte y la región de origen estén espaciadas longitudinalmente dentro de la zona calentada para proporcionar un diferencial de temperatura predeterminado entre la región de origen y el soporte.
PDF original: ES-2554606_T3.pdf
Aparato y proceso para el crecimiento de cristales.
(08/08/2012) Un aparato proceso para el crecimiento de cristal a partir de fase vapor para producir múltiples monocristalesen un ciclo de crecimiento, que comprende:
- por lo menos una cámara de fuente ,
- una pluralidad de tubos de crecimiento satélites dispuestos alrededor de por lo menos una cámara de fuente ;
- una pluralidad de medios de pasaje adaptados para el transporte de vapor desde la cámara de fuente hacia lostubos de crecimiento , en el cual por lo menos una cámara de fuente está térmicamente desacoplada de lostubos de crecimiento .
PROCEDIMIENTO DE ELIMINACION MEDIANTE RECOCIDO DE LOS PRECIPITADOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR II-VI.
(26/11/2009) Procedimiento de eliminación mediante recocido de los precipitados contenidos en un material sólido de semiconductor II-VI, en el que dicho material sólido semiconductor es un material sólido semiconductor de sublimación congruente, y en el que se realizan las siguientes etapas sucesivas:
- se calienta bajo circulación de gas neutro el material sólido semiconductor hasta una temperatura T comprendida entre una primera temperatura T 1, correspondiente al eutéctico de compuesto II-VI/elemento VI, y una segunda temperatura T2, correspondiente a la temperatura máxima de sublimación congruente;
- se mantiene bajo circulación de gas neutro el material sólido a esta temperatura T durante una duración suficiente para eliminar los precipitados;
- se enfría el material sólido semiconductor…
PRODUCCION DE POLVO MONOCRISTALINO Y DE UNA MEMBRANA MONOGRANO.
(01/03/2003). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JILICH GMBH. Inventor/es: ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, MEISSNER, DIETER.
Procedimiento para la producción de un polvo monocristalino, que está constituido de material semiconductor, que comprende un sistema multisubstancia de al menos tres componentes, donde un componente es un elemento del grupo 11º IUPAC, con las etapas: a) se mezclan los componentes correspondientes del material semiconductor o sus sales con un fundente; b) se ajusta una temperatura, que está por encima del punto de fusión del fundente y por debajo del punto de fusión del polvo monocristalino a producir; c) se separa por cristalización el polvo monocristalino; d) se refrigera la colada, con objeto de la interrupción del crecimiento del polvo monocristalino.
CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR ORGANOMETALICO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO II-VI.
(16/03/1992). Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID COMPANY. Inventor/es: VALENTINE, DONALD, JR., BROWN, DUNCAN WILLIAM.
UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UNA O MAS CAPAS EPITAXIALES DEL GRUPO II-VI SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO, DIRIGIENDO FLUJOS DE UNO O MAS COMPONENTES DEL GRUPO II Y UN VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI SOBRE UN SUSTRATO CALENTADO, EN EL QUE LOS VAPORES REACCIONAN PARA FORMAR LA CAPA O CAPAS EPITAXIALES Y SE MEJORA EN TERMINOS DE TEMPERATURAS DE REACCION MAS BAJAS Y DE UNA MAYOR CALIDAD DEL PRODUCTO, SI SE UTILIZA, COMOFUENTE DE VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI, UN COMPUESTO DE TELURO DE LA FORMULA (I) EN LA QUE R1 Y R2 SON, INDEPENDIENTEMENTE, HIDROGENO O ALQUILO DE 1 A 4 CARBONOS, PREFERIBLEMENTE, HIDROGENO.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE UN LINGOTE CRISTALINO DE HG1-XO CDXO TE.
(01/12/1991). Solicitante/s: SAT (SOCIETE ANONYME DE TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es: DURAND,ALAIN RENE LUCIEN, DESSUS,JEAN-LUC, ROYER,MICHEL.
ANTES DE DESPLAZAR UNA ZONA DE DISOLVENTE CALENTADA PARA DISOLVER PROGRESIVAMENTE LINGOTES-FUENTE Y DAR NACIMIENTO A UN LINGOTE UNICO , SE CREA UNA ZONA DE ADAPTACION A PARTIR DE UN GERMEN MONOCRISTALINO , MEDIANTE CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO DEL DISOLVENTE EN CONTACTO CON EL GERMEN . EL LINGOTE OBTENIDO ES MONOCRISTALINO. EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION PERMITE, EN PARTICULAR, REDUCIR LOS COSTES DE FABRICACION DE COMPUESTOS COMO LOS DETECTORES DE INFRARROJOS O LOS DIODOS DE AVALANCHA.
