(22/02/2017). Solicitante/s: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Inventor/es: BRUNNER, HEIKO, Schulze,Jörg, VOSS,TORSTEN, KIRBS,ANDREAS, SÖNMEZ,AYLIN, FRÖSE,BERND, ENGELHARDT, ULRIKE.

Una composición metálica de galvanoplastia que comprende una especie de galvanoplastia del grupo IB y una especie de galvanoplastia del grupo IIIA caracterizada por comprender, además, un aditivo de fórmula general (A):**Fórmula** en donde X1 y X2 pueden ser iguales o diferentes y se seleccionan del grupo constituido por arileno y heteroarileno; FG1 y FG2 pueden ser iguales o diferentes o se seleccionan del grupo constituido por -S(O)2OH, - S(O)OH, -COOH, -P(O)2OH y grupos amino primarios, secundarios y terciarios y sales y ésteres de los mismos; R se selecciona del grupo constituido por alquileno, arileno o heteroarileno y n y m son números enteros entre 1 y 5.

PDF original: ES-2624637_T3.pdf

(07/06/2012). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Inventor/es: LUQUE LOPEZ,ANTONIO, MARTI VEGA,ANTONIO, ANTOLIN FERNANDEZ,ELISA, GONZALEZ DIAZ,GERMAN, OLEA ARIZA,Javier, PASTOR PASTOR,David, DEL PRADO MILLÁN,Álvaro, MÁRTIL DE LA PLAZA,Ignacio.

Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de Bl fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

(16/11/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: LUQUE LOPEZ,ANTONIO.

Célula solar conteniendo un semiconductor con una banda intermedia medio llena de electrones situado entre dos capas de semiconductores ordinarios de tipo n y de tipo p . Al iluminarlo se crean pares electrón-hueco, ya sea por absorción de un fotón de la energía necesaria o por la absorción de dos de energía inferior que bombean un electrón desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ella a la banda de conducción . Se establece una corriente eléctrica que sale por el lado p y vuelve por el lado n. Las capas n y p evitan también que la banda intermedia esté en contacto con las conexiones metálicas externas, lo que produciría un cortocircuito. Esta célula convierte la energía solar en electricidad más eficientemente que las células convencionales y contribuye a la mejora de los dispositivos fotovoltaicos.

(16/07/1997). Solicitante/s: ASE AMERICAS, INC. Inventor/es: HANOKA, JACK, I., DANIELSON, SCOTT, E.

SE SUMINISTRAN UN METODO Y UN APARATO PARA FORMAR ELECTRODOS DE REJILLA PARA CELULAS SOLARES, IMPLICANDO ESENCIALMENTE EL METODO Y EL APARATO LA DISTRIBUCION DE UNA TINTA VISCOSA A TRAVES DEL PUNTO HUECO DE UNA PLUMA A UNA PLACA SELECCIONADA DE CELULA SOLAR ORIENTADA HORIZONTALMENTE , PARA QUE LA DESCARGA DE TINTA FORME UNA CINTA O LINEA EN LA PLACA, ESTANDO LO BASTANTE SEPARADO EL PUNTO DE LA PLUMA DE LA PLACA DE CELULA SOLAR PARA FORMAR UNA CATENARIA CON EL FIN DE QUE NO VAYA POR LA CINTA O LINEA DEPOSITADA, DE ESTA FORMA, NI EL DIAMETRO EXTERIOR DEL PUNTO DE LA PLUMA NI PRESION ALGUNA EJERCIDA POR EL PUNTO DE LA PLUMA DETERMINAN EL ANCHO DE LA CINTA O LINEA ESCRITA.

(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.

(16/02/1996). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, OVSHINSKY, STANFORD, R., YANG, CHI-CHUNG.

UNA O MAS CELDAS SOLARES DE PELICULA FINA EN LA QUE LA CAPA INTERIOR DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA INCLUYE AL MENOS UN PRIMER INTERVALO DE BANDA Y OTRO INTERVALO DE BANDA MAS ESTRECHO. EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ESTA ESPECIALMENTE GRADUADO EN UNA PARTE DEL GROSOR, Y DICHA PARTE GRADUADA INCLUYE UNA REGION ALEJADA DE LAS INTERFACES ENTRE LA CAPA IMPURIFICADORA Y LA CAPA INTERNA . EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ES SIEMPRE MENOR QUE EL INTERVALO DE BANDA DE LAS CAPAS IMPURIFICADAS. LA GRADACION DE LA CAPA INTERNA SE EFECTUA DE FORMA QUE EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO Y/O EL FACTOR DE RELLENO DE LA ESTRUCTURA DE CELDA O CELDAS SOLARES SE POTENCIA.

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).

(01/04/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, HACKSTEIN, KARL-GERHARD, DR.

SE PRESENTA UNA CELULA SOLAR DE SILICIO CON UN CUERPO DE SUBSTRATO , EN CUYO LADO SE PRODUCE UN CAMPO ELECTRICO A TRAVES DE UN CONTACTO MIS PARA CAUSAR UNA SEPARACION DE LOS SOPORTES DE CARGA PRODUCIDOS A TRAVES DE ENERGIA DE RADIACION. LOS SOPORTES DE CARGA DE MINORIA SE ASPIRAN EN METAL DEL CONTACTO OHMICO . LOS CONTACTOS OHMICOS SE ENCUENTRAN SOBRE LOS CAMPOS EXISTENTES FRENTE DE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUBSTRATO . ADEMAS SE DESTEJA EL LADO DEL CUERPO DE SUBSTRATO , QUE MUESTRA EL CONTACTO OHMICO CON AL MENOS UNA CAPA PASIVADORA COMPLETAMENTE.

(01/03/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, PROF. DR., HOFFMAN, WINFRIED, DR. DIPL.-PHYS, SCHUM, BERTHOLD, ING.

SE PRESENTA UN PROCEDIMIENTO PARA LA APLICACION DE NUEVO DE MATERIAL DE BASE DE SILICIO DE CELULAS SOLARES DEFECTUOSAS DE CAPAS DE INVERSION (MIS). ADEMAS SE DERRIBAN AL MENOS CAPAS ESPECIFICAS DE CELULAS SOLARES - MIS Y SE SUSTITUYEN A TRAVES DE CAPAS NUEVAS CORRESPONDIENTES.

(16/01/1992). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, DR. DIPL.-PHYS., HACKSTEIN,KARL GERHARD,DR.DIPL.-CHEM.

CONSTA DE: UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR ELECTRONICO , UNA CAPA DE SILICIO , UNA CAPA DE METAL QUE ORIGINA UN CAMPO ELECTRICO JUNTO CON EL SUBSTRATO Y LA CAPA DE ZONAS DE CONTACTO OHMIOS QUE RECIBEN LA DESCARGA DEL PORTADOR MAYORATORIO ELECTRONICO Y UNA CAPA DE PASIVACION COLOCADAS ENTRE LAS ZONAS OHMICAS Y ENCIMA DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR ELECTRONICO.

(16/04/1985). Solicitante/s: NUKEM GMBH.

MEJORAS EN UNA PILA VOLTAICA Y EN SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.CONSISTENTES EN REALIZAR EL CONTACTO DEL LADO DELANTERO CON TRES CAPAS QUE TIENEN DOS MATERIALES DIFERENTES, Y SE COMPONEN DE, UNA CAPA INDUCTORA DE FORMACION DE CONTACTOS QUE FORMA UN ACOPLAMIENTO OHMICO (RESISTIVO) CON LA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA , UNA CAPA COLECTORA DE CORRIENTE QUE RECOGE LOS PORTADORES DE CARGAS DE LA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA Y UNA CAPA DERIVADORA DE CORRIENTE; APLICAR EL SEGUNDO CONTACTO ELECTRICO CONDUCTOR MEDIANTE SUCESIVAS APLICACIONES DE DIFERENTES CAPAS ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS; Y APLICAR UNA CAPA SOBRE EL SEGUNDO CONTACTO ELECTRICO CONDUCTOR, PARA DESACOPLAR MECANICAMENTE EL ELEMENTO DE CUBIERTA.

(01/11/1984). Solicitante/s: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS GMBH TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH.

CELULA SOLAR.CONSISTE EN UN DISCO RECTANGULAR, DE MATERIAL SEMI-CONDUCTOR COMO SILICIO MONO-CRISTALINO Y DE GROSOR MENOR QUE 0,3 MM, Y COMPRENDE UN CUERPO BASICO SEMI-CONDUCTOR CON UNA RESISTENCIA DE 0,1 A 1 OHM/CM; EN SU CARA ANTERIOR UN SISTEMA DE TRAMO CONDUCTOR DE GROSOR DE 2 A 10 2M, QUE CONSISTE EN DEDOS INDIVIDUALES CON ANCHURA DE 200 2M Y SEPARACION DE 1 A 1,5 MM, ENTRE ELLOS, QUE TRANSCURREN PARALELOS ENTRE SI Y DESEMBOCAN EN UN CARRIL COLECTOR CON ZONAS DE EMPALME PARA CELULAS SOLARES VECINAS; Y EN SU CARA POSTERIOR UN SISTEMA DE TRAMO CONDUCTOR DEL MISMO GROSOR QUE EL ANTERIOR Y QUE CONSISTE EN DEDOS INDIVIDUALES CON ANCHURA DE 10 2M Y SEPARACION ENTRE ELLOS MENOR QUE LA ANTERIOR Y QUE TRANSCURREN PARALELOS ENTRE SI Y DESEMBOCAN EN UN CARRIL COLECTOR CON ZONAS DE EMPALME PARA CELULAS SOLARES VECINAS.

(01/11/1981). Solicitante/s: JUNGEHUELSING UND KRUSE PATENTVERWERTUNG GESELICHA.

COLECTOR HIBRIDO CON CAMARA DE REFRIGERACION DE CELULAS SOLARES PARA DISTRIBUCION DE ENERGIA ELECTRICA Y TERMICA. LAS CELULAS SOLARES ESTAN MONTADAS SOBRE PLATINAS PROVISTAS DE DISPOSITIVOS DE REFRIGERACION Y CUBIERTAS DE UNA CAPA DE SILICONA FINA, A FIN DE NO ACTUAR COMO AISLANTE ELECTRICO SOBRE LAS CELULAS. TAMPOCO ACTUA COMO AISLANTE TERMICO A FIN DE PERMITIR UNA REFRIGERACION POR TODA LA SUPERFICIE DE LAS CELULAS. LA PELICULA DE SILICONA CUBRE LAS PLATINAS Y LOS DISPOSITIVOS DE REFRIGERACION UNIDOS CON ELLAS. TODO ELLO SE ENCUENTRA EN UNA CAJA TERMICAMENTE AISLADA, QUE SIRVE DE CAMARA DE REFRIGERACION Y CERRADA HERMETICAMENTE CON UNA LUNA DE VIDRIO , DENTRO DE LA CUAL SE HA HECHO EL VACIO. EL AGUA CALENTADA EN LOS DISPOSITIVOS DE REFRIGENRACION ES BOMBEADA CON LA ENERGIA ELECTRICA GENERADA POR LAS CELULAS.

(16/06/1981). Solicitante/s: MESSERSCHMITT-BOLKOW-BLOHM GMBH.

CELULA FOTOELECTRICA. SOBRE LA CARA EXPUESTA A LA LUZ DE UNA CAPA DE SILICIO AMORFO SE DUPERPONE UNA CAPA MAS DELGADA DE SILICIO POLICRISTALINO QUE ES PARTE COMPONENTE DE UN ELEMENTO CONSTITUIDO POR UNA CAPA DE VIDRIO TRANSPARENTE, UNA CAPA ANTIRREFLECTANTE SEMICONDUCTORA CON ELECTRODOS DE METAL INSERTOS, UNA PELICULA METALICA DELGADA SEMITRANSPARENTE, UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO DOPADO, UNA CAPA DE SILICIO AMORFO DEBILMENTE DOPADO, UNA CAPA DE SILICIO AMORFO FUERTEMENTE DOPADO Y UNOS ELECTRODOS DE METAL. COMO VARIACIONES SE PUEDE SITUAR UNA CAPA DE PEGAMENTO BAJO LA PRIMERA CAPA DE VIDRIO, SUPRIMIR EL SILICIO AMORFO FUERTEMENTE DOPADO O PASAR AL ULTIMO LUGAR LA PELICULA METALICA DELGADA.

(16/03/1981). Solicitante/s: CELESTIAL SYNERGETICS CORPORATION.

CELULA PARA CONVERTIR LA RADIACION SOLAR EN CORRIENTE ELECTRICA. SOBRE UN MODULO VAN DISPUESTAS UNAS CAVIDADES YUXTAPUESTAS QUE CONSTITUYEN LAS CELULAS. ESTAS ADOPTAN LAS FORMAS DE UNA PIRAMIDE INVERTIDA TRUNCADA, AUNQUE LO PRINCIPAL ES QUE LAS PAREDES ESTEN INCLNADAS HACIA EL FONDO. LA SUPERFICIE INTERIOR ESTA DIVIDIDA EN DOS SECCIONES MEDIANTE DOS BANDAS DE MATERIALES DISTINTOS . ESTOS PROVOCAN LA CREACION DE UNAS BARRERAS DE POTENCIAL DENTRO DE LA ESTRUCTURA EN LA QUE SE INDUCE LA CORRIENTE CUANDO LA ONDA ELECTROMAGNETCA RESUENE AL INTRODUCIRSE EN LA CAVIDAD . LAS DIFERENTES CELULAS SON CONECTADAS A UNAS BANDAS CONDUCTORAS EN SERIE. I.

(16/02/1981). Solicitante/s: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH..

DISPOSICIONES DE CELULAS SOLARES. UN PRIMER DISCO DE MATERIAL TRANSPARENTE TIENE PROMINENCIAS PARABOLICAS , CORTADAS A LA ALTURA DE SUS EJES FOCALES PARA CONCENTRAR LOS RAYOS EN EL DISCO , MONOCRISTALINO DE CARACTER P CON UNA CAPA N Y OTRAP . LA TENSION FOTOVOLCAICA SE RECOGE EN DOS PLACAS METALICAS ASOCIADAS A LOS DISCOS . SE PUEDEN HACER OTRAS FORMAS CONSTRUCTIVAS CON REFORMAS EN LAS PROMINENCIAS PARABOLICAS O EN EL TIPO DE MATERIAL DEL DISCO.

(01/11/1976). Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID.

FOTODETECTOR A LUZ VISIBLE E INFRARROJA CON ALTA SENSIBILIDAD. ESTA FORMADA POR UNA OBLEA DE ARSENIURO DE GALIO DE TIPO N , UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P Y UNA ZONA DE TIPO N+ DE ALTA CONDUCTIVIDAD. LOS ELECTRODOS SON ALEACIONES DE AU-GE, AU-GE-NI Y SN Y LA CAPA ESTA METALIZADA AL VACIO. CUANDO SE POLARIZA EL DISPOSITIVO APARECE UN FENOMENO DE IONIZACION POR IMPACTO QUE MULTIPLICA LA CORRIENTE GENERADA LO CUAL PERMITE APRECIAR NIVELES MUY BAJOS DE ILUMINACION.

(16/05/1965). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.