NUEVA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA CON UNIONES HETEROGENEAS.
UNA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA DE TRES CAPAS DE SEMICONDUCTOR POLICRISTALINO COLOCADAS OPTICAMENTE EN SERIE Y EN CONTACTO SECUENCIAL,
ESTA FORMADA POR UNA CAPA RELATIVAMENTE TRANSPARENTE AL PASO DE UNA BANDA ANCHA DE ENERGIA OPTICA, UNA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE Y UNA TERCERA, SIMILAR A LA PRIMERA, QUE FORMA UN REFLECTOR ATENUADOR CON LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE. LAS TRES CAPAS TIENEN COMPOSICIONES DISTINTAS DE FORMA QUE LA ESTRUCTURA INCLUYE DOS UNIONES HETEROGENEAS. LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE Y LA TERCERA CAPA TIENEN EL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD. LA ESTRUCTURA SE REALIZA CONVENIENTEMENTE USANDO COMPUESTOS SEMICONDUCTORES II-VI, TALES COMO SULFURO DE CADMIO O ZINC PARA LA CAPA TRANSPARENTE, TELURO DE CADMIO Y MERCURIO, TELURO DE CADMIO, TELURO DE CADMIO Y ZINC O TELURO DE MERCURIO Y ZINC PARA LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE, Y UNA TERCERA CAPA DE TELURO DE CADMIO, TELURO DE ZINC, TELURO DE CADMIO Y ZINC, TELURO DE CADMIO Y MERCURIO O TELURO DE CADMIO Y MANGANESO. EL CADMIO ESTA PRESENTE EN DOS DE LAS TRES CAPAS. SE PUEDEN FORMAR POR ELECTRODEPOSICION ESTRUCTURAS CONVENIENTEMENTE DE ACUERDO CON LA INVENCION, Y SE PUEDEN EMPLEAR SUSTRATOS OPACOS O TRANSPARENTES DEPENDIENDO DEL TIPO DE SEMICONDUCTOR EMPLEADO EN SUS POSICIONES RELATIVAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THE STANDARD OIL COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 200 PUBLIC SQUARE, 36-F-3454, CLEVELAND OHIO 44114.
Inventor/es: ONDRIS, MIROSLAV, PICHLER, MARTY A.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 31 de Marzo de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/06 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
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