CIP-2021 › C › C22 › C22C › C22C 13/00[m] › Aleaciones basadas en estaño.
Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C22C 1/00 hasta C22C 32/00: Aleaciones no ferrosas, es decir, aleaciones basadas esencialmente en metales distintos del hierro
Notas[n] desde C22C 1/00 hasta C22C 38/00:
- Grupos C22C 43/00 - C22C 49/00 tienen prioridad sobre los grupos C22C 1/00 - C22C 38/00 .
C22C 13/02 · con antimonio o bismuto como constituyente que sigue al que está en mayor proporción.
(01/04/1998). Solicitante/s: ELEKTRO-THERMIT GMBH. Inventor/es: BOHSMANN, MICHAEL, DR., KORING, ROLF, RUHLE, MANFRED, PROF. DR., STEINHORST, MICHAEL, DR.
LA INVENCION SE REFIERE A UN COJINETE LISO SOBRE BASE DE ESTAÑO CON ANTIMONIO Y COBRE, COMPONIENDOSE DESDE 6 HASTA 15 % EN PESO DE ANTIMONIO, 3 HASTA 10 % EN PESO DE COBRE, 0,05 HASTA 1 % EN PESO DE PLATA, 0,1 HASTA 2 % EN PESO DE ZINC Y EL RESTO DE ESTAÑO.
(16/03/1989). Solicitante/s: MINERO METALURGICA DEL ESTAÑO, S.A.E. -M E S A E-. Inventor/es: MAESTO POYATO, FRANCISCO.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE UN PRODUCTO DE ALEACION DE ESTAÑO-COBRE PARA SOLDADURAS EN CIRCUITOS DE AGUA POTABLE, EN EL QUE SE UTILIZAN COMO MATERIA PRIMA ESTAÑO Y COBRE EN PROPORCIONES COMPRENDIDAS RESPECTIVAMENTE ENTRE UN 97 A 99,5% PARA EL ESTAÑO Y UN 3 A 0,5% PARA EL COBRE, SIENDO AMBOS METALES SOMETIDOS A UN PROCESO DE FUSION, EN UN RECIPIENTE ADECUADO, MEDIANTE CALENTAMIENTO EXTERIOR Y A TEMPERATURA COMPRENDIDA ENTRE 350G Y 400GC, SIENDO LA TEMPERATURA DE COLADA DE 50GC, POR ENCIMA DEL .LA ALEACION UNA VEZ PERFECTAMENTE DISUELTOS LOS METALES COMPONENTES Y HOMOGENEIZADA, ES MOLDEADA EN LINGOTES Y ESTOS EXTRUSIONADOS EN FRIO EN UNA PRENSA, SIENDO A CONTINUACION TREFILADO EL HILO OBTENIDO HASTA OBTENERSE EL DIAMETRO DESEADO.
(01/06/1978). Solicitante/s: THE GLACIER METAL COMPANY LIMITED Y DAIDO METAL C.
Resumen no disponible.
(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…