CIP 2015 : H01L 31/068 : siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión,

p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.

CIP2015HH01H01LH01L 31/00H01L 31/068[3] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/068 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Método de revestimiento de cobre para la fabricación de celdas solares.

(08/05/2019). Solicitante/s: MacDermid Enthone America LLC. Inventor/es: BERNARDS,ROGER, BELLEMARE,RICHARD.

Un método de revestimiento de cobre sobre un sustrato que comprende: proporcionar un sustrato, en donde el sustrato es una capa semilla metálica sobre una oblea de celda solar de silicio que comprende una parte posterior de aluminio; y poner en contacto el sustrato con una solución de revestimiento de cobre que comprende una fuente de iones cobre y una sal de conductividad de sulfato de litio en donde la solución de revestimiento de cobre tiene un pH entre 1,7 y 3,5 y está libre de iones cloruro y en donde la parte posterior de la oblea de celda solar de silicio no se ve afectada por la solución de revestimiento.

PDF original: ES-2731904_T3.pdf

Método para fabricar una célula solar y dispositivo de fabricación de película.

(08/05/2019). Solicitante/s: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, MURAKAMI, TAKASHI, MITTA,RYO, WATABE,TAKENORI, TAKAHASHI,MITSUHITO, HASHIGAMI,HIROSHI, TSUKIGATA,SHINTAROU.

Un método para fabricar una célula solar que tiene una superficie receptora de luz, que comprende las etapas de: formar una capa de difusión de tipo n en la superficie de un sustrato de silicio de tipo p en la cara receptora de luz, formar una película antirreflectante/de pasivación sobre el sustrato sobre dicha capa de difusión, estando hecha la película antirreflectante/de pasivación de SiN y formándose esta mediante CVD asistida por plasma, recocer después el sustrato, siendo la etapa de recocido a una temperatura de 500 °C a 850 °C en una atmósfera de H2, N2 o una mezcla de los mismos, y después formar electrodos sobre el sustrato y cocer los electrodos.

PDF original: ES-2732356_T3.pdf

Fotoelectrodos iluminados por la interfaz sustrato-electrodo (SE) y celdas fotoelectroquímicas.

(17/04/2019) Un fotoelectrodo para una celda fotoelectroquímica, extendiéndose el fotoelectrodo desde una superficie de extremo delantera a una superficie de extremo trasera opuesta, en el que la superficie de extremo delantera , durante el uso, se irradia con una luz incidente (L) y la superficie de extremo trasera , durante el uso, contacta un electrolito de la celda fotoelectroquímica, en el que el fotoelectrodo comprende - una celda solar de contacto trasero que se extiende desde - una superficie frontal de la celda solar que, durante el uso, constituye la superficie de extremo delantera del fotoelectrodo a ser irradiada con la luz incidente (L), a - una superficie trasera de…

Dispositivo fotovoltaico y panel fotovoltaico.

(27/03/2019). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DEL PAIS VASCO-EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA. Inventor/es: MARTINEZ SANTOS,VICTOR, JIMENO CUESTA,JUAN CARLOS, GUTIERREZ SERRANO,RUBEN, HERNANDO BRIONGOS,FERNANDO, RODRIGUEZ CUESTA,MARIA VELIA, URIARTE DEL RIO,SUSANA, SAENZ NOVALES,MARIA JOSE, IKARAN SALEGI,CARMEN, LUQUE LOPEZ,ANTONIO, FREIRE VELASCO,IRATXE, RECART BARAÑANO,Federico, VARNER,Kenneth, EZQUERRA VENTOSA,Joseba, FANO LESTON,Vanesa, AZKONA ESTEFANIA,Nekane, CERECEDA MORIS,Eneko, MONTALBAN FLOREZ,Cristina, HOCES FERNANDEZ,Itziar, PEREZ MANSANO,Lourdes, MARTIN REAL,Jorge, LAGO AURREKOETXEA,ROSA, OTAEGI AIZPEOLEA,ALOÑA.

El dispositivo fotovoltaico tiene una pluralidad de capas configuradas para convertir luz (L) en energía eléctrica. Cada capa comprende al menos una célula solar (11A; 12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D). Cada capa está configurada de manera que presenta una banda prohibida con una anchura predeterminada, siendo la anchura de la banda prohibida de cada capa diferente de la anchura de la banda prohibida de las otras capas. Al menos una de las capas comprende al menos dos células solares (12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D) conectadas en serie y que tienen bandas prohibidas con la misma anchura. Las capas están conectadas entre sí en paralelo, de manera que la tensión (U) sobre cada capa es la misma. La invención también se refiere a un panel fotovoltaico.

PDF original: ES-2733723_T3.pdf

Pasta para una película gruesa, conductora para contactos de células solares.

(13/03/2019) Una composición para una pasta electroconductora que comprende lo siguiente: partículas metálicas; un sistema de reacción inorgánico y un vehículo orgánico; en la que el sistema de reacción inorgánico para la composición para una pasta electroconductora comprende una composición formadora de una matriz que contiene plomo y un aditivo de óxido de telurio, en donde la composición que contiene plomo representa entre el 5 y 95% en peso del sistema de reacción inorgánico, y el aditivo de óxido de telurio representa entre el 5 y el 95% en peso del sistema de reacción inorgánico; en donde se deniega la siguiente pasta: una pasta que comprende lo siguiente: 85% en peso (basado en la pasta) de partículas de plata; un sistema de reacción inorgánico que comprende 3,1% en peso (basado en la pasta) de una frita…

Diodo bipolar con absorbedor óptico de estructura cuántica.

(12/02/2019) Un elemento constructivo semiconductor bipolar de al menos cinco capas que convierte la luz en corriente eléctrica, para lo cual se inserta una heteroestructura en una unión PN, es decir, previéndose capas de manera, a) que la primera capa se componga de un material semiconductor dopado tipo p con una separación de banda X, b) que la segunda y la cuarta capa se compongan de un material con una separación de banda Y mayor y presenten un grosor que permita tunelizar los portadores de carga, c) que la tercera capa se componga de un material con una menor separación de banda Z y de un material con una elevada absorción de luz, y d) que la quinta capa se componga de un material semiconductor dopado tipo n con una separación de banda X, de modo que entre…

Partículas que comprenden Al y Ag en pastas conductoras de la electricidad y preparación de una célula solar.

(10/10/2018). Solicitante/s: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Inventor/es: KONIG, MARKUS, HÖRTEIS,MATTHIAS, RUDL,ALEXANDER.

Una pasta que comprende como constituyentes de la pasta: a. Por lo menos 80% en peso de polvo de plata, basado en el peso total de la pasta ; b. Un sistema de reacción inorgánica; c. Un vehículo orgánico; d. Partículas de aditivo que comprenden Al y Ag como constituyentes de las partículas, en la que Al y Ag están presentes en las partículas de aditivo como elementos o en una o más mezclas de una sola fase de elementos que comprenden uno o ambos Al y Ag, o una combinación de uno o ambos Al y Ag como elementos con una o más mezclas de elementos.

PDF original: ES-2685639_T3.pdf

Partículas que comprenden AI, Si y Mg en pastas electroconductoras y preparación de células fotovoltaicas.

(04/10/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Inventor/es: KONIG, MARKUS, HÖRTEIS,MATTHIAS, GEORG,NICOLE.

Una pasta que comprende como constituyentes de pasta: a. Al menos 80% en peso de polvo de plata, basado en el peso total de la pasta ; b. Un sistema de reacción inorgánico; c. Un vehículo orgánico; d. Partículas de aditivo que comprenden Al, Mg y Si como constituyentes de partículas, en donde Al, Mg y Si están presentes en las partículas de aditivos como elementos o en una o más mezclas de una sola fase de elementos que comprenden uno o más de los constituyentes de partículas, o una combinación de uno o más elementos con una o más mezclas de una sola fase de elementos.

PDF original: ES-2684721_T3.pdf

Una pasta electroconductora que comprende partículas de Ag con una distribución multimodal del diámetro en la preparación de electrodos en células solares MWT.

(30/08/2017). Solicitante/s: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Inventor/es: HÖRTEIS,MATTHIAS, NEIDERT,MICHAEL, HAN,JING.

Un precursor de célula solar (300b) que al menos comprende como partes precursoras: i) una oblea con al menos un hueco con una superficie de Si; ii) una pasta electroconductora que al menos comprende como constituyentes: a) partículas metálicas; b) un sistema de reacción inorgánico; c) un vehículo orgánico; y d) un aditivo; compuesto por el hueco , en el que las partículas metálicas tienen una distribución multimodal del diámetro de la partícula.

PDF original: ES-2649662_T3.pdf

Módulo fotovoltaico curvado y procedimiento para su fabricación.

(03/05/2017). Solicitante/s: ICGH Investment and Consulting GmbH. Inventor/es: HORNBACHNER,DIETER DIPL.-ING. DR.TECHN, KIRSCHNER,MARKUS DIPL.-ING. DR.TECHN.

Procedimiento para la fabricación de un módulo fotovoltaico curvado de manera convexa a partir de células solares cristalinas planas, caracterizado por las etapas: incrustar al menos una célula solar (1; 1", 1"') cristalina plana del tipo de contacto trasero entre una capa de soporte deformable y una capa de cubierta deformable para generar un laminado , y curvar el laminado a la forma convexa deseada mediante la deformación de las capas de soporte y de cubierta y rotura simultánea de la al menos una célula solar (1; 1", 1"') para dar lugar a fragmentos , de manera que la forma convexa se aproxima mediante trazos poligonales de los fragmentos , permaneciendo los fragmentos unidos entre sí a través de un contacto trasero metálico que se curva en los puntos de rotura.

PDF original: ES-2635387_T3.pdf

Aditivo para preparar gamuza en chip de silicio policristalino y método de uso del mismo.

(13/07/2016). Solicitante/s: Changzhou Shichuang Energy Technology Co., Ltd. Inventor/es: ZHANG,YUANYUAN, FU,LIMING.

Un aditivo para preparar gamuza en un chip de silicio policristalino, que comprende: citrato de amonio, polivinilpirrolidona, alcohol polivinílico, ácido cítrico y agua, en el que el porcentaje en masa de cada componente es como sigue: citrato de amonio: 0,2-0,5%, polivinilpirrolidona: 0,1-1%, alcohol polivinílico: 0,1-0,2%, ácido cítrico: 2- 2,5% y agua: el porcentaje restante.

PDF original: ES-2591133_T3.pdf

Estructura de capa de pasivación de dispositivo semiconductor y método de formación de la misma.

(11/05/2016). Solicitante/s: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Inventor/es: SUN,WEN-CHING, LIN,TZER-SHEN, YU,SHENG-MIN.

Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende: una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p.

PDF original: ES-2577611_T3.pdf

Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera.

(17/02/2016) Procedimiento de fabricación de una célula fotovoltaica con contactos interdigitados en la cara trasera, caracterizado por que comprende: - el suministro de un sustrato de silicio dopado, - la formación, en la cara trasera (B) de dicho sustrato , de una capa semiconductora dopada con una primera especie de dopantes, - la formación, en dicha capa semiconductora dopada , de una capa denominada dopante que comprende una segunda especie de dopantes, de tipo eléctrico opuesto al de la primera especie , - la formación, en la capa semiconductora dopada , de por lo menos una región (10a) dopada de…

Procedimiento para la fabricación de una célula solar de heterounión basada en obleas, con contactos en la cara trasera y célula solar de heterounión fabricada con el procedimiento.

(10/09/2014) Procedimiento para la fabricación de una célula solar de heterounión basada en obleas, con contactos en la cara trasera, con al menos una oblea de absorbedor y una capa de emisor dispuesta en la cara trasera y realizada como superficie con escotaduras con forma puntual o de banda de materiales semiconductores con dopado opuesto, en el que el contacto de la capa de emisor es establecido mediante un sistema de contacto de 5 emisor por la cara trasera, que presenta una capa de contacto de emisor con escotaduras con forma puntual o de banda congruentes con las escotaduras en la capa de emisor , y el contacto de la oblea de absorbedor es establecido mediante un sistema de contacto de absorbedor en la cara trasera que presenta una capa de contacto de absorbedor o rejilla con contactos puntuales o contactos de banda que atraviesan…

Placa serigráfica para panel solar y método para imprimir un electrodo de panel solar.

(09/07/2014) Una placa serigráfica para su uso en la impresión de una pasta conductora para formar simultáneamente un electrodo de barra colectora y una pluralidad de electrodos de dedo en un panel solar, incluyendo la placa serigráfica una abertura del electrodo de barra colectora y una pluralidad de aberturas del electrodo de dedo , caracterizada por que las aberturas del electrodo de dedo tienen una anchura de la abertura de menos de 80 μm, y la placa serigráfica tiene una pluralidad de zonas bloqueadas en la abertura del electrodo de barra colectora , en posiciones alineadas con las aberturas del electrodo de dedo .

Método para producir una célula solar de silicio con un emisor decapado por grabado así como una célula solar correspondiente.

(25/06/2014) Un método para producir una célula solar de silicio con un emisor selectivo, según la reivindicación 12, donde el método comprende, en el siguiente orden: producir un emisor que se extiende en dos dimensiones en una superficie del emisor de un sustrato de célula solar ; aplicar una barrera contra el grabado sobre las primeras zonas parciales de la superficie del emisor; grabar la superficie del emisor en las segundas zonas parciales de la superficie del emisor no cubierta por la barrera contra el grabado ; retirar la barrera contra el grabado ; y producir contactos metálicos en las primeras zonas parciales…

Célula fotovoltaica de emisor distribuido en un substrato y procedimiento de realización de una célula de ese tipo.

(16/04/2013) Célula fotovoltaica que incluye un substrato a base de semiconductor de un primer tipo de conductividad que incluye dos caras principales paralelas entre sí, comprendiendo el substrato una pluralidad de orificios ciegos cuyas aberturas están dispuestas a nivel de una sola de las dos caras principales, estando los orificios ciegos rellenos con un semiconductor de un segundo tipo de conductividad opuesta al primer tipo de conductividad, que forma el emisor de la célula fotovoltaica , formando el substrato la base de la célula fotovoltaica , caracterizada porque la célula fotovoltaica incorpora además, sobre la cara principal del substrato que incluye las aberturas de los orificios ciegos , primeros dedos de colecta a base de al menos un semiconductor del segundo tipo de conductividad, en contacto con el emisor…

Célula solar y método de fabricación de la misma.

(13/06/2012) Método de fabricación de una célula solar , que comprende: formar una región de emisor sobre la totalidad de una primera superficie de un sustrato de semiconductor de un primer tipo de conductividad, presentando la región de emisor un segundo tipo deconductividad opuesto al primer tipo de conductividad con el fin de formar una unión p-n con el sustrato desemiconductor , y siendo la primera superficie una superficie sobre la cual incide una luz solar; formar una capa de pasivación sobre una segunda superficie opuesta a la primera superficie del sustratode semiconductor ; formar una capa dopante que contiene impurezas del primer tipo de conductividad sobre la capa depasivación ; formar localmente una pluralidad…

Método para producir una célula solar así como célula solar producida mediante este método.

(16/05/2012) Método para la producción de una célula solar con una capa de BSF, en el que sobre el lado trasero de un sustrato de células solares , especialmente de un sustrato de silicio, se aplica una capa de BSF a través de la aplicación de aluminio sobre el sustrato y aleación siguiente 5 en el sustrato , en el que la capa de BSF es transparente a la luz caracterizado por el hecho de que después de la aleación en el sustrato se retira exclusivamente aluminio no aleado en el sustrato.

Procedimiento para la dotación selectiva de silicio.

(07/03/2012) Procedimiento para la dotación selectiva de silicio de un sustrato de silicio para la producción de una transición-pn en el silicio con las siguientes etapas: a) provisión de la superficie del sustrato de silicio con un agente de dotación basado en fósforo, b) calentamiento siguiente del sustrato de silicio para la generación de un cristal de silicato de fósforo sobre la superficie del silicio, en el que se difunde al mismo tiempo fósforo en el interior del silicio como primera dotación , c) aplicación de una máscara sobre el cristal de silicato de fósforo , de tal manera que la máscara cubre…

DISPOSITIVO PARA ACOPLAR LA LUZ DE FORMA OPTIMA A UNA CELULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA REALIZADA MEDIANTE PUNTOS CUANTICOS.

(16/02/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: BRIONES FERNANDEZ POLA,FERNANDO, LUQUE LOPEZ,ANTONIO, MARTI VEGA,ANTONIO, POSTIGO RESA,PABLO AITOR.

Dispositivo para acoplar la luz a una célula solar de banda intermedia realizada mediante puntos cuánticos que además concentra la luz. La energía de la luz que emite el material luminiscente se elige para que produzca transiciones entre la banda de valencia y la banda de conducción de la célula. Los pigmentos del material luminiscente se eligen para que los fotones emitidos produzcan transiciones desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ésta a la banda de conducción. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por la capa escape. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por el material escape. El dispositivo consta, además, de un reflector y de un soporte.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.

(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.

SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.

ESTRUCTURA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULA SOLAR CON CONTACTOS TRASEROS AUTOALINEADOS DE ALEACION DE ALUMINIO.

(16/10/2004) UN DISEÑO CELULAR SOLAR MEJORADO Y METODO DE FABRICACION QUE PRIMERAMENTE USA DOS MATERIALES, SILICIO Y ALUMINIO IMPURIFICADOS DEL TIPO N PARA FORMAR UNA CELULA SOLAR DE CONTACTO POSTERIOR DE UNION DE ALEACION P-N. LA UNIONES DE ALEACION DE ALUMINIO SON COLOCADAS EL LADO POSTERIOR (NO ILUMINADO) DE LA CELULA, POR MEDIO DE LAS CUALES SE COMBINAN LAS CARACTERISTICAS DESEABLES DE ALUMINIO (COMO UN DOPANTE, METAL DE CONTACTO Y REFLECTOR DE LUZ), CON LAS VENTAJAS DE UNA CELULA DE CONTACTO POSTERIOR. EL DISEÑO CELULAR Y EL METODO DE FABRICACION INCLUYE TALES CARACTERISTICAS COMO TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE, ESPEJOS PORTADORES MINORITARIOS DEL CAMPO DE LA SUPERFICIE DELANTERA Y TRASERA, PASIVACION DE LA SUPERFICIE USANDO CAPAS DE OXIDACION, USO DE CONTACTOS AI COMO REFLECTORES DE LUZ, PROTECCION INTRINSECA CONTRA POLARIZACION IVERSA DEBIDO…

UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.

(16/09/2003). Solicitante/s: NORDIC SOLAR ENERGY AB. Inventor/es: BODEGAARD, MARIKA, HEDSTROM, JONAS, STOLT, LARS.

SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA, EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO . LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2}.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR, ASI COMO LA CELULA SOLAR FABRICADA SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.

(01/07/2002). Solicitante/s: WILLEKE, GERHARD FATH, PETER. Inventor/es: WILLEKE, GERHARD, FATH, PETER.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN COMPONENTE PLANO CON UNA REJILLA DE ORIFICIOS DE PASO. PARA ELABORAR LOS ORIFICIOS DE PASO, UNA PLURALIDAD DE GRABACIONES , EN PARTICULAR CON PERFIL DE V, PARALELAS, PREFERENTEMENTE EQUIDISTANTES, ESTAN PERFILADAS SOBRE EL LADO FRONTAL Y POSTERIOR DE UN CUERPO BASICO CON PERFIL DE DISCO. LAS GRABACIONES SOBRE AMBOS LADOS INCLUYEN UN ANGULO DE UNA CON RESPECTO A OTRA Y SON SUFICIENTEMENTE PROFUNDAS PARA QUE LOS ORIFICIOS DE PASO SEAN ELABORADOS AUTOMATICAMENTE EN LAS INTERSECCIONES DE LAS GRABACIONES . SE DESCRIBE TAMBIEN LA UTILIZACION DEL COMPONENTE INDICADO COMO CELDA SOLAR DE ALTA POTENCIA, ASI COMO UN PROCESO PARA ELABORACION DE TALES CELDAS SOLARES, SU UTILIZACION COMO UN MICROFILTRO, COMO UN MICROTAMIZ, COMO UN CUERPO BASICO DE CATALIZADOR, COMO UNA REJILLA DE ACELERACION PARA PARTICULAR CARGADAS Y PARA EL INFLUENCIADO DE PROPIEDADES AERODINAMICAS DE CUERPOS EXPUESTOS A UN FLUJO CIRCULAR.

CELULAR SOLAR QUE COMPRENDE UNA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO DE UN TIPO NUEVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE LA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO.

(01/05/2000). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR, MARTINELLI, GIULIANO.

SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA CELULA SOLAR DE DOS COLORES Y TRES TERMINALES.

(01/03/1985) PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA CELULA SOLAR DE DOS COLORES Y TRES TERMINALES.COMPRENDE: A) MONTAR UN SUSTRATO CONDUCTIVO EN UN APARATO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO; B) RARIFICAR EL APARATO A UNA PRESION ENTRE 1D10C6 Y 1D10C8 TORR; C) CALENTAR EL SUSTRATO A UNA TEMPERATURA ENTRE 500JC Y 650JC; D) ESTABLECER UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (AS) Y UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (GA); E) AJUSTAR EL COMPUESTO CON (AS), UN COMPUESTO CON (SB) Y DOPANTES DE TIPO N Y DE TIPO P, PARA FORMAR UNA CAPA DE GAAS1-YSBY SOBRE EL SUSTRATO; F) TERMINAR EL FLUJO DEL COMPUESTO CON (SB); G) AJUSTAR EL CAUDAL DE LOS COMPUESTOS DE TIPO N Y DE TIPO P DE AS, PARA FORMAR UNA PRIMERA UNION DE CORTOCIRCUITACION EN LA CAPA DE GAAS1-YSBY; H) AUMENTAR EL CAUDAL DEL COMPUESTO CON (AS) CON VARIACION DE DOPANTES,…

PERFECCIONAMIENTOS EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.

(01/08/1984). Solicitante/s: CHEVRON RESEARCH COMPANY..

PERFECCIONAMIENTO EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.COMPREND E UN SUSTRATO CONDUCTIVO; UNA CAPA DE GAAS1-YSBY QUE TIENE REGIONES DE CONDUCTIVIDAD DIFERENTE QUE FORMA UNA HOMOUNION EN CONTACTO CON EL SUSTRATO Y SE ADAPTAN A LA RETICULA DEL SUSTRATO DENTRO DE APROXIMADAMENTE G 1; UNA CAPA DE GERMANIO TIPO NB O PB DE UNION DE CORTOCIRCUITACION EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE GAASB OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON EL SUSTRATO; UNA CAPA DE GAAS1-XPX QUE TIENE UNA BANDA PROHIBIDA MAYOR QUE LA CAPA DE GAASSB, PONIENDOSE LA CAPA SEMICONDUCTORA EN CONTACTO CON LA SUPERFICIEDE LA CAPA DE UNION DE CORTOCIRCUITACION OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON LA CAPA DE GAASSB; Y ELEMENTOS PARA FORMAR UN CONTACTO ELECTRICO EN LAS CAPAS PARA TOMAR CORRIENTE FOTOGENERADA DE LAS MISMAS. Y TIENE EL VALOR ENTRE 0,1 A 0,4, Y X ENTRE 0,1 A 0,3.

PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS SOLARES FOTOVOLTARES DE IONES MULTIPLES Y DE ALTA EFICACIA.

(16/02/1982). Solicitante/s: CHEVRON RESEARCH COMPANY..

CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA DE UNIONES MULTIPLES PARA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR EN ENERGIA ELECTRICA. CONSTA DE UN SUSTRATO DE GERMANIO PROVISTO DE UNA SUPERFICIE DE CONTACTO EN SU CARA I NFERIOR; DE UNA PRIMERA CAPA DE ARSENIURO DE INDIO-GALIO SITUADA ENCIMA DEL SUSTRATO ; DE UNA SEGUNDA CAPA DE FOSFURO DE INDIO-GALIO, SEPARADA DE LA PRIMERA CAPA MEDIANTE UNA UNION DE EFECTO TUNEL; DE UNA CAPA CONDUCTORA Y TRANSPARENTE DE OXIDO DE INDIO-ESTAÑO U OXIFDO DE ANTIMONIO-ESTAÑO DEPOSITADA SOBRE LA SUPERFICIE DE LA SEGUNDA CAPA ; DE HILOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES UNIDOS RESPECTIVAMENTE A LA SUPERFICIE.

 

Patentes más consultadas

 

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