CIP-2021 : H01L 31/068 : siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN,
p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/068 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
UN PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE CAPA DELGADA.
(16/09/2003). Solicitante/s: NORDIC SOLAR ENERGY AB. Inventor/es: BODEGAARD, MARIKA, HEDSTROM, JONAS, STOLT, LARS.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR CELULAS SOLARES DE PELICULA FINA, EN EL QUE SE APLICA UNA CAPA DE SELENURO DE INDIO DE COBRE (CUINSE{SUB, 2}) EN UN PASO DE MANUFACTURACION SOBRE UNA ESTRUCTURA QUE INCLUYE UNA CAPA DE METAL QUE FORMA UN CONTACTO DE RESPALDO ELECTRICO EN LA CELULA SOLAR, ESTE CONTACTO DE RESPALDO SE APLICA A UN SUBSTRATO . LA INVENCION SE CARACTERIZA EN QUE LA CAPA QUE CONTIENE METAL ALCALI SE FORMA LA ESTRUCTURA ANTES DE APLICAR LA CAPA DE CUINSE{SUB, 2}.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR, ASI COMO LA CELULA SOLAR FABRICADA SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.
(01/07/2002). Solicitante/s: WILLEKE, GERHARD FATH, PETER. Inventor/es: WILLEKE, GERHARD, FATH, PETER.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN COMPONENTE PLANO CON UNA REJILLA DE ORIFICIOS DE PASO. PARA ELABORAR LOS ORIFICIOS DE PASO, UNA PLURALIDAD DE GRABACIONES , EN PARTICULAR CON PERFIL DE V, PARALELAS, PREFERENTEMENTE EQUIDISTANTES, ESTAN PERFILADAS SOBRE EL LADO FRONTAL Y POSTERIOR DE UN CUERPO BASICO CON PERFIL DE DISCO. LAS GRABACIONES SOBRE AMBOS LADOS INCLUYEN UN ANGULO DE UNA CON RESPECTO A OTRA Y SON SUFICIENTEMENTE PROFUNDAS PARA QUE LOS ORIFICIOS DE PASO SEAN ELABORADOS AUTOMATICAMENTE EN LAS INTERSECCIONES DE LAS GRABACIONES . SE DESCRIBE TAMBIEN LA UTILIZACION DEL COMPONENTE INDICADO COMO CELDA SOLAR DE ALTA POTENCIA, ASI COMO UN PROCESO PARA ELABORACION DE TALES CELDAS SOLARES, SU UTILIZACION COMO UN MICROFILTRO, COMO UN MICROTAMIZ, COMO UN CUERPO BASICO DE CATALIZADOR, COMO UNA REJILLA DE ACELERACION PARA PARTICULAR CARGADAS Y PARA EL INFLUENCIADO DE PROPIEDADES AERODINAMICAS DE CUERPOS EXPUESTOS A UN FLUJO CIRCULAR.
CELULAR SOLAR QUE COMPRENDE UNA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO DE UN TIPO NUEVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE LA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO.
(01/05/2000). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: ENDROS, ARTHUR, MARTINELLI, GIULIANO.
SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA CELULA SOLAR DE DOS COLORES Y TRES TERMINALES.
(01/03/1985) PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UNA CELULA SOLAR DE DOS COLORES Y TRES TERMINALES.COMPRENDE: A) MONTAR UN SUSTRATO CONDUCTIVO EN UN APARATO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO; B) RARIFICAR EL APARATO A UNA PRESION ENTRE 1D10C6 Y 1D10C8 TORR; C) CALENTAR EL SUSTRATO A UNA TEMPERATURA ENTRE 500JC Y 650JC; D) ESTABLECER UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (AS) Y UN CAUDAL DE UN COMPUESTO CON (GA); E) AJUSTAR EL COMPUESTO CON (AS), UN COMPUESTO CON (SB) Y DOPANTES DE TIPO N Y DE TIPO P, PARA FORMAR UNA CAPA DE GAAS1-YSBY SOBRE EL SUSTRATO; F) TERMINAR EL FLUJO DEL COMPUESTO CON (SB); G) AJUSTAR EL CAUDAL DE LOS COMPUESTOS DE TIPO N Y DE TIPO P DE AS, PARA FORMAR UNA PRIMERA UNION DE CORTOCIRCUITACION EN LA CAPA DE GAAS1-YSBY; H) AUMENTAR EL CAUDAL DEL COMPUESTO CON (AS) CON VARIACION DE DOPANTES,…
PERFECCIONAMIENTOS EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
(01/08/1984). Solicitante/s: CHEVRON RESEARCH COMPANY..
PERFECCIONAMIENTO EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.COMPREND E UN SUSTRATO CONDUCTIVO; UNA CAPA DE GAAS1-YSBY QUE TIENE REGIONES DE CONDUCTIVIDAD DIFERENTE QUE FORMA UNA HOMOUNION EN CONTACTO CON EL SUSTRATO Y SE ADAPTAN A LA RETICULA DEL SUSTRATO DENTRO DE APROXIMADAMENTE G 1; UNA CAPA DE GERMANIO TIPO NB O PB DE UNION DE CORTOCIRCUITACION EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE GAASB OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON EL SUSTRATO; UNA CAPA DE GAAS1-XPX QUE TIENE UNA BANDA PROHIBIDA MAYOR QUE LA CAPA DE GAASSB, PONIENDOSE LA CAPA SEMICONDUCTORA EN CONTACTO CON LA SUPERFICIEDE LA CAPA DE UNION DE CORTOCIRCUITACION OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON LA CAPA DE GAASSB; Y ELEMENTOS PARA FORMAR UN CONTACTO ELECTRICO EN LAS CAPAS PARA TOMAR CORRIENTE FOTOGENERADA DE LAS MISMAS. Y TIENE EL VALOR ENTRE 0,1 A 0,4, Y X ENTRE 0,1 A 0,3.
PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS SOLARES FOTOVOLTARES DE IONES MULTIPLES Y DE ALTA EFICACIA.
(16/02/1982). Solicitante/s: CHEVRON RESEARCH COMPANY..
CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA DE UNIONES MULTIPLES PARA LA CONVERSION DE ENERGIA SOLAR EN ENERGIA ELECTRICA. CONSTA DE UN SUSTRATO DE GERMANIO PROVISTO DE UNA SUPERFICIE DE CONTACTO EN SU CARA I NFERIOR; DE UNA PRIMERA CAPA DE ARSENIURO DE INDIO-GALIO SITUADA ENCIMA DEL SUSTRATO ; DE UNA SEGUNDA CAPA DE FOSFURO DE INDIO-GALIO, SEPARADA DE LA PRIMERA CAPA MEDIANTE UNA UNION DE EFECTO TUNEL; DE UNA CAPA CONDUCTORA Y TRANSPARENTE DE OXIDO DE INDIO-ESTAÑO U OXIFDO DE ANTIMONIO-ESTAÑO DEPOSITADA SOBRE LA SUPERFICIE DE LA SEGUNDA CAPA ; DE HILOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES UNIDOS RESPECTIVAMENTE A LA SUPERFICIE.