CIP 2015 : H01L 21/66 : Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.

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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Determinación de las concentraciones de dopantes aceptadores y donadores.

(14/03/2018) Procedimiento de determinación de concentraciones en dopantes en una muestra de material semiconductor, constando la muestra de tres dopantes (NAF, NAP, ND) de los que uno de tipo mayoritario y uno de tipo minoritario, teniendo dos dopantes de un mismo tipo unas energías de activación diferentes (EAF, EAP), comprendiendo el procedimiento las etapas siguientes: - medir (F1) la concentración (p0) en portadores de carga libres en la muestra a unas primera y segunda temperaturas para las que el dopante del tipo mayoritario (NAF) que tiene la energía de activación más reducida (EAF) está en un régimen de ionización; - confrontar (F2) las medidas de la concentración (p0) en portadores de carga libres con un modelo matemático de la concentración (p0) en portadores de carga libres…

Método y aparato para medir ópticamente por interferometría el espesor de un objeto.

(23/04/2014) Método para medir ópticamente por interferometría el espesor (T) de un objeto ; incluyendo el método las etapas de: llevar a cabo por interferometría óptica una pluralidad de lecturas del espesor (T) del objeto para obtener por lo menos un valor de espesor aproximado (RTW) de cada lectura y, en consecuencia, una pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW); y determinar el valor real del espesor (T) del objeto mediante el análisis de la pluralidad de valores de espesor aproximados (RTW); estando el método caracterizado por que este incluye las etapas de: definir un intervalo de variabilidad de los valores de espesor aproximados (RTW) que es lo bastante amplio para comprender por lo menos una parte significativa de los valores de espesor…

Dispositivos de carburo de silicio de gran superficie y métodos de fabricación para los mismos.

(27/05/2013) Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente…

MÉTODOS DE MONITORIZACIÓN DE LA SALUD DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

(22/02/2013) Métodos de monitorización de la salud de dispositivos semiconductores. Están basados en un método para estimar cercanía de la finalización de la vida de un dispositivo que incluye un sensor de temperatura que comprende: a) realizar al comienzo del tiempo de vida del dispositivo un primer ensayo que comprende los siguientes pasos: a1) proporcionar una corriente con una amplitud constante I a dicho dispositivo durante un intervalo de tiempo tn; a2) obtener un parámetro P1 indicativo de la elevación de temperatura en dicho intervalo tn; b) realizar periódicamente el mismo ensayo y estimar la cercanía de la finalización de la vida del dispositivo cuando la diferencia o la relación entre el parámetro P obtenido en el último ensayo…

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA DETECTAR ANOMALÍAS DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR.

(13/03/2012) Procedimiento para detectar anomalías en un sustrato semiconductor, tal como microfisuras penetrantes o no penetrantes, en particular en un sustrato de silicio policristalino, que comprende las etapas de: a) proporcionar un sustrato semiconductor, b) realizar una imagen de inspección I del sustrato iluminando el sustrato con una retroiluminación que tiene longitudes de onda dentro del intervalo del infrarrojo cercano, de manera que dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes son menos transparentes que el sustrato o no son transparentes, c) generar una imagen K a partir de a imagen I por procesamiento de imagen, d) generar la imagen B por binarización de la imagen K, e) examinar la imagen I usando la imagen B para determinar las localizaciones de dichas microfisuras penetrantes y no penetrantes en el sustrato…

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SUPERVISAR IN SITU PROCEDIMIETOS DE DEPOSICION Y GRABADO POR PLASMA USANDO UNA FUENTE DE LUZ DE BANDA ANCHA PULSADA.

(16/04/2006) Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea, comprendiendo el monitor de proceso: una lámpara de destellos que emite radiación óptica de banda ancha; un módulo de formación de haces operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos sobre el oblea y para enfocar la radiación óptica reflejada por el oblea; un espectrógrafo que responde a la radiación óptica reflejada por el oblea; y un elemento de procesado de datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda…

PROCEDIMIENTO DE PRUEBA DE RADIOFRECUENCIA SIN HILOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS Y OBLEAS.

(16/03/2006) Aparato para probar un circuito integrado sobre una oblea que comprende: a) un circuito de prueba formado sobre la oblea con el circuito integrado, comprendiendo el circuito de prueba: i) un circuito oscilador en anillo variable que tiene un circuito oscilador en anillo base y una pluralidad de subcircuitos acoplados al circuito oscilador en anillo base; y, ii) un circuito de control para acoplar de manera selectiva los subcircuitos al circuito de oscilador en anillo base para cambiar la frecuencia de oscilación de dicho circuito oscilador en anillo variable en base a un subcircuito seleccionado; y, b) una unidad de prueba independiente de la oblea, estando la unidad de prueba unida sin hilos al circuito…

PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DEL ESPESOR DE UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES FINAS.

(16/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: STEAG HAMATECH AG. Inventor/es: HERTLING, ROLF, SCHAUDIG, WOLFGANG, WINDELN, WILBERT.

Procedimiento para la determinación del espesor de al menos una capa (3 a 6) sobre un substrato , que presenta estructuras geométricas que conducen a difracción de la luz, a través de - medición de valores de la intensidad de la luz de reflexión y/o de transmisión de orden de difracción cero en función de la longitud de las ondas, - cálculo de los valores de la intensidad de la luz de reflexión y/o de transmisión utilizando un modelo de iteración, en el que los parámetros de las capas individuales y las dimensiones geométricas de las estructuras geométricas del substrato son introducidos como otros parámetros, y - modificación de los parámetros de las capas hasta la consecución de una coincidencia entre los valores medidos y los valores calculados.

DISPOSITIVOS DE CARBURO DE SILICIO DE GRAN SUPERFICIE Y METODOS DE FABRICACION PARA LOS MISMOS.

(01/07/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: RYU, SEI-HYUNG, AGARWAL, ANANT, CAPELL, CRAIG, PALMOUR, JOHN, W.

Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo de silicio sobre al menos una parte de una oblea de carburo de silicio con un diseño predefinido, teniendo los dispositivos de carburo de silicio contactos primeros correspondientes sobre una primera cara de la oblea de carburo de silicio, - probar eléctricamente la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio para identificar aquellos de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio que pasan una prueba eléctrica; e - interconectar selectivamente el primer contacto de los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio, aplicando selectivamente un fotorrepetidor de modo que se proporcione interconexión entre los identificados de entre la pluralidad de dispositivos de carburo de silicio.

METODO Y APARAT0 PARA REALIZAR ANALISIS DE FALLOS MULTIVARIADOS PARA AUMENTAR LOS RENDIMIENTOS DE FABRICACION DE SEMICONDUCTORES.

(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: LUCENT TEHNOLOGIES INC. Inventor/es: ORTEGA,CARLOS, ALONSO MONTULL,JUAN IGNACIO.

Método y aparato para realizar análisis de fallos multivariados para aumentar los rendimiento de fabricación de semiconductores, que comprende medios para formar una pluralidad de obleas comprendiendo cada una, una pluralidad de "dados"; recoger datos de características eléctricas correspondientes a dispositivos en la pluralidad de "dados", recoger datos de características de funcionamiento de los circuitos de la pluralidad de "dados", correspondientes a una característica elegida de funcionamiento de los circuitos; comparar los datos recogidos de funcionamiento de los circuitos con un umbral para determinar fallos; realizar un análisis de fallos multivariados basado en los datos recogidos de las características eléctricas; y ajustar por lo menos un proceso de fabricación de los semiconductores basado en el análisis de fallos multivariados para reducir fallos.

METODO Y PARATO PARA DETERMINAR INTERDEPENDENCIAS ENTRE DATOS RECOGIDOS PARA AUMENTAR LOS RENDIMIENTOS DE PRODUCCION DE SEMICONDUCTORES.

(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Inventor/es: ORTEGA,CARLOS, SLONSO MONTULL,JUAN IGNACIO, SOBRINO PATINO,ELISEO VENTURA.

Método y aparato para determinar interdependencias entre datos recogidos para aumentar los rendimientos de producción de semiconductores, que comprenden medios para formar una pluralidad de obleas comprendiendo cada una pluralidad de "dados" (cuerpos de circuitos integrados); recoger datos de características de funcionamiento de los circuitos correspondientes a una característica elegida de funcionamiento de los circuitos correspondientes a una característica elegida de funcionamiento de los circuitos de la pluralidad de "dados"; comparar los datos recogidos de las características de funcionamiento de los circuitos con un umbral para determinar fallos de "dados"; utilizar una red neural para determinar interdependencias entre los datos recogidos de características de funcionamiento de los circuitos para determinar fallos de "dados"; y ajustar por lo menos un proceso de fabricación de los semiconductores tomando como base las interdependencias para reducir fallos de "dados".

METODO DE UTILIZACION PERMANENTE DE UN MATERIAL SEGUN UN EJE Z.

(01/06/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: W.L. GORE & ASSOCIATES, INC.. Inventor/es: BUDNAITIS, JOHN J., LEONG, JIMMY.

LA PRESENTE INVENCION ESTA RELACIONADA CON UN SISTEMA Y UN METODO PARA REALIZAR EL EXAMEN DE FIABILIDAD DE LOS DISCOS DE SEMICONDUCTORES, Y PARTICULARMENTE, UN APARATO DE FRITADO MUY PLANO Y UN METODO PARA USARLO EN EL FRITADO NIVELADO DE DISCOS (WLBI), EL FRITADO DE MATRICES CUADRICULADAS (DDBI) Y EL FRITADO DE MATRICES EMPAQUETADAS (PDBI). EL SISTEMA DE FRITADO SE COMPONE DE UN SUSTRATO DE FRITADO DE BASE PLANA, UN MIEMBRO CONECTOR EN EL EJE Z TEMPORAL Y UNA HOJA DE CONTACTO NIVELADO DE DISCOS EN EL EJE Z CONECTADA ELECTRICAMENTE A OTRA PARA EXAMINAR DISCOS, MATRICES CUADRICULADAS, Y COMPONENTES ELECTRONICOS EMPAQUETADOS, SU MONTAJE Y USO.

ENSAMBLAJES DE CHIP SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y COMPONENTES PARA LOS MISMOS.

(16/05/2002). Solicitante/s: TESSERA, INC. Inventor/es: KHANDROS, IGOR Y., DISTEFANO, THOMAS H.

CONJUNTOS DE CHIPS SEMICONDUCTORES QUE INCORPORAN ELEMENTOS LAMINARES FLEXIBLES QUE TIENEN TERMINALES POR ENCIMA DE LA CARA FRONTAL O POSTERIOR DEL CHIP PARA PROPORCIONAR UNA UNIDAD COMPACTA. LOS TERMINALES EN EL ELEMENTO LAMINAR SON DESPLAZABLES RESPECTO AL CHIP PARA COMPENSAR LA DILATACION TERMICA. UN ELEMENTO ELASTICO TAL COMO UNA CAPA ELASTICAMENTE DEFORMABLE INTERPUESTO ENTRE EL CHIP Y LOS TERMINALES PERMITE EL MOVIMIENTO INDEPENDIENTE DE LOS TERMINALES INDIVIDUALES HACIA EL ACOPLAMIENTO IMPULSOR DEL CHIP CON EL CONJUNTO DE LA SONDA DE PRUEBA PARA PERMITIR UN ACOPLAMIENTO FIABLE A PESAR DE LAS TOLERANCIAS.

METODO Y APARATO DE MEDIDA DE LA RESISTENCIA DE CAPA SIN CONTACTO.

(16/10/1999) SE PRESENTA UN APARATO Y UN METODO DE MEDIDA DE LA RESISTENCIA DE UNA LAMINA, SIN CONTACTO PARA MEDIR LA RESISTENCIA DE UNA LAMINA DE UNA CAPA DESEADA DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, FORMADA SOBRE UN SUBSTRATO DE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA. EL APARATO COMPRENDE MEDIOS PARA ESTABLECER UNA CAPACITANCIA DE UNION, MEDIOS GENERADORES DE UN FOTOVOLTAJE DE CORRIENTE ALTERNA EN LA UBICACION DEL PUNTO PARA GENERAR UN FOTOVOLTAJE DE CORRIENTE ALTERNA LATERALMENTE PROPAGADO, MEDIOS DE MONITORIZACION DE DESPLAZAMIENTO DE FASE Y ATENUACION PARA MONITORIZAR EL FOTOVOLTAJE DE CORRIENTE ALTERNA LATERALMENTE PROPAGADO, Y MEDIOS GENERADORES DE SEÑALES DE LA RESISTENCIA DE LA LAMINA SENSIBLES A LOS MEDIOS PARA ESTABLECER LA CAPACITANCIA DE UNION,…

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA APLICACION DE UNA CAPA EN UN COMPONENTE OPTOELECTRONICO.

(16/10/1996). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: IDLER, WILFRIED.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO CON CAPAS DE UN COMPONENTE OPTOELECTRONICO. EN LOS PROCEDIMIENTOS HABITUALES PARA EL RECUBRIMIENTO CON CAPAS DE COMPONENTES OPTOELECTRONICOS, ESPECIALMENTE LASER DE SEMICONDUCTORES, SE MIDE OPTICAMENTE EL ESPESOR DE LA CAPA A APLICAR. LA SEÑAL OPTICA SE CONVIERTE EN UN DIODO FOTOELECTRICO EN UNA SEÑAL ELECTRICA Y CON ESTA SE CONTROLA LA CAPA. LA INVENCION SE BASA EN LA EVALUACION PURAMENTE ELECTRICA DE LA PARTE DE ALTA FRECUENCIA DE LA POTENCIA DE RUIDOS ELECTRICA DE UN COMPONENTE OPTOELECTRONICO , SI A TRAVES DE ESTE FLUYE UNA CORRIENTE CONTINUA. A PARTIR DE LA POTENCIA DE RUIDOS, UN ORDENADOR DE CONTROL OBTIENE UNA SEÑAL PARA EL CONTROL DEL ESPESOR DE LA CAPA; ESTA ES DIRIGIDA A UNA DISPOSICION DE RECUBRIMIENTO DE UN REACTOR DE RECUBRIMIENTO , QUE PRESENTA UNA CAMARA DE REACCION EN LA QUE SE ENCUENTRA EL COMPONENTE A RECUBRIR.

PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION-PN.

(01/02/1995) PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION PN. LA INVENCION CONCIERNE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA DETERMINACION DE LA POSICION DE UNA TRANSICION PN O DE LA PROFUNDIDAD DE PENETRACION DEL ELECTRODO DIFUNDIDO EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES PRODUCIDOS POR TECNOLOGIA PLANAR. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE EXPONE TAMBIEN UN PATRON DE PRUEBA, QUE CONSTA DE N PARES DE VENTANAS, QUE SU SEPARACION AUMENTA DE PAR EN PAR. EN EL PROCESO DE DIFUSION SE SOLAPAN LAS CUBETAS QUE SE FORMAN EN LOS PARES DE VENTANAS QUE ESTAN MUY JUNTOS, ESTAN EN CONTACTO EN UN PAR DE VENTANAS (N0) Y SE SEPARAN UNA DE OTRA EN PARES…

 

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