PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SUPERVISAR IN SITU PROCEDIMIETOS DE DEPOSICION Y GRABADO POR PLASMA USANDO UNA FUENTE DE LUZ DE BANDA ANCHA PULSADA.
Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea,
comprendiendo el monitor de proceso: una lámpara (35) de destellos que emite radiación óptica de banda ancha; un módulo (70) de formación de haces operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica reflejada por el oblea; un espectrógrafo (40) que responde a la radiación óptica reflejada por el oblea; y un elemento (50) de procesado de datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso restando la segunda señal de la primera señal.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538-6516.
Inventor/es: PERRY, ANDREW, MUNDT, RANDALL, S.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 27 de Septiembre de 2000.
Fecha Concesión Europea: 23 de Noviembre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01B11/06 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01B MEDIDA DE LA LONGITUD, ESPESOR O DIMENSIONES LINEALES ANALOGAS; MEDIDA DE ANGULOS; MEDIDA DE AREAS; MEDIDA DE IRREGULARIDADES DE SUPERFICIES O CONTORNOS. › G01B 11/00 Disposiciones de medida caracterizadas por la utilización de medios ópticos (instrumentos de los tipos cubiertos por el grupo G01B 9/00 en sí G01B 9/00). › para la medida del espesor.
- H01L21/66 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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