CIP 2015 : H01L : DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01;

resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

CIP2015HH01H01L[u] › DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

Notas[n] de H01L:
  • La presente subclase cubre :
    • los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados;   
    • las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa;   
    • los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar.   
  • En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:
    • "oblea" significa una rodaja sustrato de material semiconductor o cristalino que puede ser modificado mediante la difusión de impurezas (dopado), implantación iónica o epitaxia y cuya superficie activa puede ser procesada para obtener matrices ("arrays") de componentes discretos o de circuitos integrados;   
    • "cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente.
    Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo (distintos del cuerpo de estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante (p. ej. acoplamiento capacitivo), así como las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir, los hilos de conexión;   
    • "dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente";   
    • "dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales;   
    • "parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo;   
    • "contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado";   
    • "circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes;   
    • "ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores.   
  • En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés.   
  • Es importante tener en cuenta la Nota (3) después del título de la sección C, dicha Nota indica a qué versión de la tabla periódica de elementos químicos se refiere la CIP.En esta subclase, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de grupo 8 se indica mediante números romanos en la Tabla Periódica en virtud del mismo.   

H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

  • H01L 21/02 Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas. [+15 invenciones en esta categoría]
  • H01L 21/027 Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 ó H01L 21/34. [+12 invenciones en esta categoría]
  • H01L 21/033 incluyendo capas inorgánicas. [+10 invenciones en esta categoría]
  • [+159 subclases].

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

Notas[n] de H01L 23/00:
  • El presente grupo no cubre :
    • los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo H01L 29/00, que quedan cubiertos por dicho grupo;
    • los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00, que quedan cubiertos por dichos grupos.
  • H01L 23/02 Contenedores; Sellado (H01L 23/12, H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 23/552 tienen prioridad). [+3 invenciones en esta categoría]
  • H01L 23/04 caracterizados por la forma. [+5 invenciones en esta categoría]
  • H01L 23/043 siendo el contenedor una estructura vacía con una base conductora que sirve de soporte y al mismo tiempo de conexión eléctrica para el cuerpo semiconductor.
  • [+61 subclases].

H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042).

  • H01L 25/03 siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los grupos H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. conjuntos de diodos rectificadores. [+1 invenciones en esta categoría]
  • H01L 25/04 los dispositivos no tienen contenedores separados. [+5 invenciones en esta categoría]
  • H01L 25/065 siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00. [+7 invenciones en esta categoría]
  • [+7 subclases].

H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

  • H01L 27/01 que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común. [+6 invenciones en esta categoría]
  • H01L 27/02 incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie. [+48 invenciones en esta categoría]
  • H01L 27/04 el sustrato común es un cuerpo semiconductor. [+5 invenciones en esta categoría]
  • [+34 subclases].

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

Notas[n] de H01L 29/00:
  • En el presente grupo principal, la clasificación se efectúa a la vez en H01L 29/02, H01L 29/40 y en H01L 29/66 en la medida en que ambos conjuntos de grupos sean adecuados.
  • H01L 29/02 Cuerpos semiconductores. [+2 invenciones en esta categoría]
  • H01L 29/04 caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30). [+5 invenciones en esta categoría]
  • H01L 29/06 caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras. [+22 invenciones en esta categoría]
  • [+79 subclases].

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

Notas[n] de H01L 33/00:
  • Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV]. 
  • En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado
  • H01L 33/02 caracterizados por los cuerpos de semiconductores. [+1 invenciones en esta categoría]
  • H01L 33/04 con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.
  • H01L 33/06 dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel. [+3 invenciones en esta categoría]
  • [+29 subclases].

H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

  • H01L 35/02 Detalles. [+1 invenciones en esta categoría]
  • H01L 35/04 Detalles estructurales de la unión; Conexión de hilos.
  • H01L 35/06 Uniones amovibles, p. ej. utilizando un resorte. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+14 subclases].

H01L 37/00 Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

  • H01L 37/02 utilizando el cambio térmico de la constante dieléctrica, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie. [+3 invenciones en esta categoría]
  • H01L 37/04 utilizando el cambio térmico de la permeabilidad magnética, p. ej. trabajando por encima o por debajo del punto de Curie. [+3 invenciones en esta categoría]

H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00).

  • H01L 39/02 Detalles. [+5 invenciones en esta categoría]
  • H01L 39/04 Contenedores; Soportes.
  • H01L 39/06 caracterizados por el recorrido de la corriente. [+1 invenciones en esta categoría]
  • [+9 subclases].

H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

Notas[n] de H01L 41/00:
  • El presente grupo no cubre las adaptaciones para fines particulares, que son cubiertas por los lugares apropiados.  
  • Es importante tener en cuenta los siguientes lugares apropiados:  
    • B06B para las adaptaciones para producir o transmitir vibraciones mecánicas  
    • G01 para transductores que sirven como elementos sensores para la medida  
    • G04C, G04F para transductores adaptados a la utilización en piezas de relojería  
    • G10K para las adaptaciones para producir o transmitir el sonido  
    • H02N para la disposición de elementos en máquinas eléctricas  
    • H03H 9/00 para redes que comprenden elementos electromecánicos o electroacústicos, p. ej. circuitos resonantes  
    • H04R para altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores análogos  
  • H01L 41/02 Detalles. [+2 invenciones en esta categoría]
  • H01L 41/04 de elementos piezoeléctricos o electroestrictivos. [+25 invenciones en esta categoría]
  • H01L 41/047 Electrodos. [+12 invenciones en esta categoría]
  • [+49 subclases].

H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

  • H01L 43/02 Detalles.
  • H01L 43/04 de dispositivos con efecto Hall. [+2 invenciones en esta categoría]
  • H01L 43/06 Dispositivos con efecto Hall. [+9 invenciones en esta categoría]
  • [+4 subclases].

H01L 45/00 Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).

  • H01L 45/02 Dispositivos de estado sólido utilizados como dispositivos de ondas progresivas.

H01L 47/00 Dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen, p. ej. dispositivos de efecto Gunn; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

  • H01L 47/02 Dispositivos de efecto Gunn.

H01L 49/00 Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos H01L 27/00 - H01L 47/00 y H01L 51/00 y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

  • H01L 49/02 Dispositivos de película delgada o de película gruesa. [+5 invenciones en esta categoría]

H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).

  • H01L 51/05 especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie. [+7 invenciones en esta categoría]
  • H01L 51/10 Detalles de los dispositivos. [+1 invenciones en esta categoría]
  • H01L 51/30 Selección de materiales. [+12 invenciones en esta categoría]
  • [+9 subclases].

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

SUSTRATO PARA CIRCUITO IMPRESO DE ALTA DENSIDAD Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

(16/05/2007). Solicitante/s: ISOLA LAMINATE SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: POMMER, RICHARD, J., GOTRO, JEFFREY, T., ANDROFF, NANCY, M., W., HEIN, MARC, D., ZARECKI, COREY, J.

Un sustrato eléctrico, que comprende: una capa dieléctrica que tiene una rugosidad superficial no mayor de 6, 0 micrómetros; y una primera capa conductora unida a dicha capa dieléctrica en el que la capa dieléctrica comprende una tela que tiene un tejido uniforme y una resina que está impregnada consistentemente dentro del tejido uniforme de dicha tela.

PERFECCIONAMIENTOS EN DIODOS SEMICONDUCTORES.

(01/11/1979). Solicitante/s: DR. HERMANN MADER.

Perfeccionamientos en dichos semiconductores, con estructura de tres zonas npn o pnp que consta de tres zonas de semiconductor colindantes y con contactos resistivos, caracterizado porque para disminuir la barrera de energía la zona de base central en la estructura de tres zonas, se ha elegido de un espesor tan pequeño que ya sin haber tensión eléctrica aplicada a los electrodos con el dopado dado a esta zona de base, toda la zona de base esta empobrecida de portadores de carga libres.

UNA DISPOSICION DE PILAS SOLARES DE SEMICONDUCTOR.

(16/03/1979) Una disposición de pilas solares de semiconductor, que comprende una pluralidad de unidades separadas o distanciadas, paralelas y alargadas, formadas a partir de un substrato común, estando el material de cuerpo de cada una de dichas unidades compuesto de material de un primer tipo de conductividad y teniendo la misma relación de distancia de separación respecto al material de cuerpo de otra de dichas unidades que en el substrato primitivo del cual están hechos, teniendo cada unidad unos costados o paredes laterales, teniendo cada unidad unos costados o paredes laterales erguidos y teniendo entre ellos una superficie superior, destinada a quedar expuesta para recibir la radiación incidente, y una superficie inferior, estando los costados…

CAPSULA MONOCRISTAL PIEZOELECTRICA PERFECCIONADA.

(16/02/1979). Solicitante/s: ORBAICETA. S.A..

Cápsula monocristal piezoeléctrica perfeccionada que estando compuesta por una carcasa, envolvente de una masa de inercia y un cristal piezoelectrico que apoya en un yunque, esencialmente se caracteriza porque la carcasa va roscada sobre una prolongación cilíndrica igualmente roscada de la masa de inercia dando lugar a un receptáculo accesible que es ocupado por el cristal piezoeléctrico y el mencionado yunque.

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO OHMICO EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR.

(16/01/1979). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC CO. INC..

Procedimiento para producir un contacto óhmico en un cuerpo semiconductor, consistiendo principalmente por lo menos una capa superficial del mismo en un semiconductor compuesto que contiene aluminio, y en donde se deposita una capa de oro encima de la citada capa superficial; caracterizado porque comprende las etapas de depositar sobre la capa superficial, antes de la deposición de la capa de oro, una capa de transición de constituyentes capaces de proporcionar adulteración de energía de activación superficial y adhesión entre la capa superficial y la capa de oro; depositar la capa de oro por encima y en contacto con la capa de transición; y calentar el cuerpo con la capa de transición y la capa de oro sobre el mismo, en una atmósfera no oxidante, a una temperatura superior a la temperatura a la cual la capa de transición es líquida y por debajo de la temperatura de fusión del oro.

UN DIODO SEMICONDUCTOR INTEGRADO MONOLITICO.

(16/12/1978). Solicitante/s: ITT INDUSTRIES, INC..

Resumen no disponible.

PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR LA CABEZA DE UN TERMOELEMENTO PARA SEGUROS DE ENCENDIDO DE APARATOS CALENTADOS POR GAS.

(16/09/1978). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH.

Resumen no disponible.

UN METODO DE GRABADO GASEOSO SOBRE UNA CAPA DE NITRURO DE SILICIO.

(16/09/1978). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Resumen no disponible.

UN SEMICONDUCTOR PLANAR PERFECCIONADO.

(16/06/1978). Solicitante/s: ITT INDUSTRIES, INC..

Resumen no disponible.

UN ACOPLADOR OPTO-ELECTRONICO.

(01/01/1978). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Un acoplador opto-electrónico que consiste de un emisor luminoso y un sensor de luz, caracterizado porque el sensor de luz está compuesto, por lo menos, por dos células fotovoltaicas activas conectadas en serie en la misma dirección.

MEJORAS INTRODUCIDAS EN APARATOS PARA CONVERTIR ENERGIA SOLAR EN ENERGIA ELECTRICA.

(01/12/1977). Solicitante/s: TYCO LABORATORIES, INC.

Resumen no disponible.

UNA CINTA SEMICONDUCTORA.

(16/11/1977). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.

Una cinta semiconductora, resistente al estireno, constituida por un substrato poroso de malla abierta de hebras fibrosas eléctricamente semiconductoras, caracterizada porque las hebras fibrosas contienen una composición de barniz protector cargado, completamente termoendurecible, que está constituida esencialmente por una mezcla fenólicaalquídica termorreactiva curada y contiene de 15 a 45 % en peso de partículas de carbono en contacto eléctrico, con una superficie específica interna y externa total de hasta 60Q m2/g, uniformemente distribuidas en su seno, para proporcionar hebras fibrosas que conducen la electricidad.

PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE PUENTES RECTIFICADORES DE TENSION.

(16/08/1977). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES ELECTRICOS.

(01/08/1977). Solicitante/s: BLAUPUNK-WERKE, G. M. B. H.

Resumen no disponible.

REACTOR PARA PASIVACION.

(01/08/1977). Solicitante/s: PIHER SEMICONDUCTORES, S.A..

Reactor para pasivación, destinado a la modificación físico-química de obleas de materiales semiconductores, caracterizado esencialmente por consistir en un cuerpo tubular de un material altamente resistente a la acción del calor y de los elementos químicos, tal como el cuarzo, que presenta en uno de sus extremos entradas para la introducción independiente de nitrógeno, oxígeno, monosilano y fosfamina y, eventualmente, otros cuerpos en estado gaseoso, realizándose su mezcla íntima en el interior del reactor mediante un difusor asociado a la entrada de los mismos, figurando en la parte correspondiente al fondo del cuerpo tubular un soporte para la colocación de las obleas del material a pasivar, calentado mediante una resistencia eléctrica dispuesta en el interior del soporte y que tiene sus terminales conectados mediante conductores externos a una fuente de alimentación, derivándose del otro extremo del cuerpo tubular una conducción para la salida de gases tras la realización del proceso.

PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN APARATO DE SOLDADURA POR TERMOCOMPRESION.

(16/07/1977). Solicitante/s: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND, G. M. B. H.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES.

(16/07/1977). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Resumen no disponible.

UN DISPOSITIVO PERCEPTOR DE IMAGEN.

(01/07/1977). Solicitante/s: N. V. PHILIPS'GLOEILAMENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES GOBERNABLES.

(01/07/1977). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Resumen no disponible.

MEDIOS PERFECCIONADOS PARA EL SUMINISTRO DE AIRE A UN HORNO.

(01/04/1977). Solicitante/s: GOTAVERKEN ANGTEKNIK, AB.

Resumen no disponible.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/03/1977). Solicitante/s: SONY CORPORATION.

Resumen no disponible.

APARATO PARA LA FABRICACION DE REVESTIMIENTO PROTECTOR PARA ELECTRODOS DE GRAFITO.

(16/01/1977) Aparato para la fabricación de revestimiento protector para electrodos de grafito, compuesto de un cuerpo con paralelas de guía y un contrapunto fijo con husillo , un, contrapunto suelto con husillo de cola y un soporte deslizante longitudinal con tornillo regulador , en el que, sobra el soporte deslizante longitudinal , están colocados varios soportes deslizantes transversales sobre los cuales estan acoplados aparatos o mecanismos para la limpieza de superficies de los electrodos de grafito, un cabezal para al tratamiento por arco eléctrico , una pistola de rociado de metal eléctrico , para aplicar aluminio rociando dicho metal en su estado licuado o fundido, un rociador para aplicar una suspensión de substancias…

METODO PARA DIVIDIR EN CUBITOS DISCOS DE SEMICONDUCTOR MEDIANTE RANURADO.

(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

Resumen no disponible.

METODO PARA FABRICAR UN TRANSISTOR.

(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

Resumen no disponible.

METODO PARA FABRICAR UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS SEMI- CONDUCTORES ENCAPSULADOS EN PLASTICO.

(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

Resumen no disponible.

METODO DE FABRICACION DE UNA PLURALIDAD DE DADOS A PARTIR DE UN DISCO SEMICONDUCTOR.

(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

Resumen no disponible.

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