CIP 2015 : H01S 5/40 : Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA.

H01S 5/00 Láseres de semiconductor.

H01S 5/40 · Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

PROYECTOR DE VIDEO MULTI LASER.

(24/01/2020). Solicitante/s: DOMINGO GARCIA, Ignacio. Inventor/es: DOMINGO GARCIA, IGNACIO, CASAJÚS QUIRÒS,Javier.

Proyector de video multi laser y sistema de proyección multi láser. Proyector de video multi láser que comprende una multiplicidad de emisores láseres asociados con una placa electrónica y que está dispuesta sobre una placa de soporte giratoria por acción de un motor y donde las salidas de los emisores láseres tienen montado en su extremo libre una lente de colimado que emergen por una serie de agujeros realizados en una semicúpula vinculada con la placa de soporte giratoria, donde el motor tiene asociado un contador de revoluciones y sobre la placa electrónica hay montado un encoder que permite determinar la posición de los láseres en el espacio y donde los medios electrónicos de la placa electrónica se encargan de controlar la activación de los emisores láseres con la información enviada de una placa electrónica de control. El control se refiere tanto al momento de la activación como la duración de los pulsos emitidos por cada láser.

PDF original: ES-2738667_A1.pdf

Dispositivo monolítico fuente de luz cuántica ajustable y circuito óptico cuántico del mismo.

(18/12/2019) Un dispositivo para emitir fotones individuales o pares de fotones entrelazados, donde el dispositivo es monolítico y comprende, sobre un sustrato de material semiconductor seleccionado de entre: material semiconductor tipo p, material semiconductor tipo n y material semiconductor intrínseco: • un diodo inferior localizado encima del sustrato y que comprende: • un bloque de material semiconductor seleccionado entre: material semiconductor tipo p y material semiconductor tipo n; teniendo el bloque el mismo tipo de dopado que el sustrato cuando el sustrato está dopado, • una primera capa de material semiconductor dispuesta en el bloque y que tiene el mismo tipo de dopado que el bloque • una segunda capa de material semiconductor localizada sobre el primer material…

Módulo láser de diodo escalonado con estructura de refrigeración.

(28/08/2019) Un cuerpo de módulo láser que ha de refrigerarse con fluido refrigerante, que tiene un primer y un segundo electrodos , que comprende: una base cerámica unitaria que tiene un fondo; una pluralidad de plataformas cerámicas conformadas en la base cerámica unitaria , teniendo cada una de la pluralidad de plataformas una anchura, una longitud y una altura en relación con un plano de base paralelo a las plataformas, y que forman una estructura escalonada, teniendo cada plataforma una altura diferente en relación con el plano de base; teniendo cada plataforma una superficie superior habilitada para sostener una fuente de láser…

Fuente de luz de semiconductor y procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor.

(14/08/2019) Un procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor que comprende un sustrato , una secuencia de capas dispuesta encima del sustrato que comprenden una capa emisora de luz (6a) y una capa límite superior (6b) dispuesta encima de la capa emisora de luz, una marca de alineación horizontal y áreas de contacto vertical que comprende: modelar (S102) la secuencia de capas con el fin de formar simultáneamente una franja emisora de luz para definir la fuente de luz de semiconductor, y una franja de alineación que se extiende en paralelo a la misma; aplicar (S104) una capa de cobertura sobre la secuencia de capas modelada ; caracterizado por: eliminar simultáneamente (S106) una primera parte de la capa de cobertura con…

Circuito integrado fotónico sintonizable emisor de longitud de onda múltiple.

(31/07/2019) Un circuito integrado fotónico que comprende: Un sustrato ; Una cavidad láser en el sustrato compuesta por: una pluralidad de primeros reflectores (111-1, 111-m) y segundos reflectores (111A-1, 111A-1, 111An), dispuestos en ambos extremos de dicha cavidad láser; una pluralidad de filtros pasa-banda (112-1, 112- m), cada uno de ellos conectado a cada uno de los primeros reflectores (111-1, 111-m) configurados para operar en una banda determinada cada uno de ellos; una pluralidad de selectores de banda (113-1, 113-m), cada uno de ellos conectado a cada uno de los filtros pasa-banda antes mencionados (112-1, 112- m), que funciona como habilitador o deshabilitador de la banda respectiva; un combinador de potencia conectado a la salida de cada selector de banda (113-1, 113-m), que agrega todo lo anterior en un solo canal óptico …

Sistema láser de semiconductor del tipo de refrigeración bilateral para uso médico de belleza.

(18/04/2018) Un sistema de láser de semiconductor del tipo de refrigeración bilateral para uso médico de belleza, que incluye: una matriz de láseres de semiconductor que comprende una multitud de láseres de semiconductor apilados, una guía de ondas óptica dispuesta delante de una superficie emisora de luz de la matriz de láseres de semiconductor, una ventana de contacto transparente que hace tope contra un extremo de la salida de luz de la guía de ondas óptica , un par de bloques de refrigeración para la refrigeración por conducción de la ventana de contacto , un primer bloque de flujo continuo de agua y un segundo…

Dispositivo para la formación de radiación láser.

(07/03/2018) Dispositivo para la formación de radiación láser, en donde el dispositivo puede servir para la formación de los rayos láser procedentes de una barra de diodos láser con múltiples emisores dispuestos uno junto a otro en una segunda dirección (X) o de una pila de barras de diodos láser, cada una con múltiples emisores dispuestos uno junto a otro en la segunda dirección (X), y puede formar la radiación láser de tal modo que la radiación láser puede entrar en una fibra óptica , que incluye - un primer componente con el que se puede realizar el acoplamiento en la fibra óptica , - primeros medios de lente para la desviación…

Aparato láser modular.

(31/08/2016) Aparato láser que comprende varios módulos láser que generan cada uno una línea láser en un plano de trabajo, comprendiendo cada uno de los módulos de láser: - al menos un medio para generar una línea láser; y - un medio para dar forma a la línea láser, comprendiendo dicho medio para dar forma a la línea laser una primera alineación de microlentes , una lente convergente y una segunda alineación de microlentes colocada en el plano focal de la lente convergente , de modo que la línea láser final generada por cada módulo láser presenta, en el plano de trabajo, un perfil de densidad de potencia con una anchura (L90) en el 90% de la densidad de potencia máxima y una anchura (L10) en el 10% de la densidad de potencia máxima, estando…

Fuente óptica.

(08/06/2016) Una fuente óptica que comprende: I) una sección de cavidad de láser dispuesta entre un primer reflector óptico y un segundo reflector óptico, la sección de cavidad de láser comprende: A. una sección de ganancia óptica; y, B. una sección de control de fase óptica en comunicación óptica con la sección de ganancia, y configurada para poder cambiar la frecuencia de modo longitudinal de la fuente óptica; y, II) un filtro óptico externo y en comunicación óptica con la sección de la cavidad del láser; en el que: al menos uno de los primeros o segundos reflectores ópticos es un reflector óptico parcial; y, el filtro óptico está configurado para recibir luz láser desde uno de dichos al menos…

Un procedimiento y un dispositivo láser de producción de densidad de potencia óptica elevada.

(25/11/2013) Un procedimiento de producción de una densidad de potencia óptica elevada, comprendiendo el procedimiento lacolimación de la radiación emitida desde una pluralidad de barras (LB) láser, y la conformación de los haces de láserque están dispuestos para propagarse en una dirección sustancialmente paralela a un eje (A) óptico, en el que losláseres (E) de diodo de una barra (LB) láser individual están situados de tal manera que los ejes (x) lentos de losláseres (E) de diodo adyacentes de dicha barra (LB) láser individual son sustancialmente paralelos al eje lento (x) dedicha barra (LB) láser individual, emitiendo los láseres (E) de diodo de dicha barra (LB) de luz individualsustancialmente en la misma dirección (z), y en el que cada barra (LB) láser comprende menos de 10 láseres dediodo, y las barras (LB) láser están dispuestas en dos o más sectores alrededor…

Sistema de generación óptica de señales.

(20/11/2013) Sistema de generación óptica de señales, que comprende un láser esclavo y al menos dos láseres maestros , estando dichos al menos dos láseres maestros configurados para excitar a dicho láser esclavo . El láser esclavo es un láser multimodo, estando el sistema configurado para que dichos al menos dos láseres maestros exciten al menos dos modos de dicho láser multimodo obteniéndose una señal cuya frecuencia está comprendida en el rango que va desde las frecuencias de microondas a las decenas de teraherzios.

SISTEMA DE GENERACIÓN ÓPTICA DE SEÑALES.

(24/10/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CANTABRIA. Inventor/es: VALLE GUTIERRER,Angel Alberto, QUIRCE TEJA,Ana.

Sistema de generación óptica de señales, que comprende un láser esclavo y al menos dos láseres maestros , estando dichos al menos dos láseres maestros configurados para excitar a dicho láser esclavo . El láser esclavo es un láser multimodo, estando el sistema configurado para que dichos al menos dos láseres maestros exciten al menos dos modos de dicho láser multimodo obteniéndose una señal cuya frecuencia está comprendida en el rango que va desde las frecuencias de microondas a las decenas de teraherzios.

Dispositivo de transmisión de calor con al menos un elemento constructivo semiconductor, particularmente un elemento diodo láser o de luz, y procedimiento para su montaje.

(19/03/2013) Dispositivo para la transmisión de calor con: - al menos un elemento constructivo semiconductor , particularmente un elemento de diodo láser o de luz, - un primer cuerpo conductor de calor , - al menos un segundo cuerpo conductor de calor en donde el elemento constructivo semiconductor presenta - en un lado, al menos una primera superficie de contacto sustancialmente plana al menos por tramos, y - en al menos un segundo lado, opuesto al primer lado, al menos una segunda superficie de contacto sustancialmente plana al menos por tramos, y - está dispuesto al menos por tramos entre el primer y el segundo cuerpo conductor de calor (20 y 30),el primer…

Transmisor óptico para sistemas RoF de ondas mm y método correspondiente.

(25/07/2012) Un dispositivo de transmisión óptica que comprende: un láser maestro configurado para generar una señal maestra (S1); un láser de cavidad vertical y emisión en superficie (VCSEL) configurado para enganche óptico porinyección al láser maestro , y configurado para generar una señal de salida de láser VCSEL que comprende uncomponente de portadora y un componente de banda lateral modulado; y caracterizado poruna unidad de ecualización configurada para recibir la señal de salida del láser VCSEL yproporcionar una señal de salida ecualizada que tiene una relación reducida de potencia de componente deportadora a potencia…

DISPOSITIVO OPTICO PARA HACER SIMETRICAS LAS RADIACIONES DE REDES BIDIMENSIONALES DE DIODOS LASER.

(16/04/2003) Conjunto óptico para equilibrar la radiación de una multitud de diodos láser dispuestos en correspondencia fija en la dirección x los unos junto a los otros y superpuestos en la dirección y perpendicular a la anterior, cuya radiación de salida respectiva, con respecto a la dirección y y a la dirección x es asimétrica, especialmente para equilibrar la radiación de las barras de diodos láser apilados unos sobre otros formando un paquete de diodos láser, con una multitud de diodos láser dispuestos los unos junto a los otros en la dirección x y superpuestos en la dirección y perpendicular a la anterior, así como con varios sistemas ópticos de microlentes cilíndricas (2a, 2b, 2c) con isoplanasia suficiente, donde cada sistema óptico de microlente cilíndrica está asignado a otro conjunto ordenado lineal…

SISTEMA OPTICO CON UNA O MAS FUENTES DE SEÑALES LASER ESTABILIZADAS.

(01/06/2001) SISTEMA DE ESTABILIZACION OPTICO CON UNA FUENTE DE SEÑAL CONECTADA A UNA LINEA DE TRANSMISION Y UNA FUENTE DE RUIDO . LA FUENTE DE SEÑAL COMPRENDE UN LASER CON UN NUMERO DE MODOS DE LASER DENTRO DE UNA PRIMERA BANDA DE LONGITUD DE ONDA PARA GENERAR UNA SEÑAL DE TRANSMISION OPTICA (S). LA FUENTE DE RUIDO GENERA UNA SEÑAL DE RUIDO DE BANDA REDUCIDA LA CUAL SE INTRODUCE EN LA LINEA DE TRANSMISION CON MEDIOS DE ACOPLAMIENTO Y SE INYECTA EN EL LASER DE FUENTE DE SEÑAL . LA SEÑAL DE RUIDO FUERZA AL LASER A FUNCIONAR EN UN MODO LASER DENTRO DE LA BANDA DE RUIDO. POR MEDIO DE UN DISTRIBUIDOR DE POTENCIA , UNA PARTE DE LA SEÑAL DE RUIDO TAMBIEN SE PUEDE INYECTAR EN UN LASER DE UNA FUENTE DE SEÑAL ADICIONAL PARA ESTABILIZACION EN UN MODO…

LASER DE EMISION SUPERFICIAL DE CAVIDAD VERTICAL, DE GRAN LONGITUD DE ONDA, CON BOMBA OPTICA INTEGRADA VERTICALMENTE.

(16/01/2001). Solicitante/s: OPTICAL CONCEPTS, INC. Inventor/es: JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR.

UN VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA DE ACUERDO A LA PRESENTE INVENCION ESTA OPTICAMENTE ACOPLADO Y OPTICAMENTE BOMBEADO POR UNA LONGITUD DE ONDA MAS CORTA, UN VCSEL ELECTRICAMENTE BOMBEADO . UNA RADIACION DE LONGITUD DE ONDA CORTA EMITIDA DESDE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL VCSEL SUBYACENTE ES TRANSMITIDA A TRAVES DEL ESPEJO MENOR DEL VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LA RADIACION DE LONGITUD DE ONDA LARGA ES EMITIDA PREFERIBLEMENTE DESDE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LOS DOS VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LOS DOS VCSELS ESTAN PREFERIBLEMENTE UNIDOS JUNTOS USANDO UN ADHESIVO OPTICO TRANSPARENTE, UN PROCESO DE UNION DE LAMINAS, O UN METAL PARA UNIR METALES.

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