Módulo láser de diodo escalonado con estructura de refrigeración.
Un cuerpo de módulo láser que ha de refrigerarse con fluido refrigerante,
que tiene un primer y un segundo electrodos (2501, 2502), que comprende:
una base cerámica unitaria (2510) que tiene un fondo;
una pluralidad de plataformas cerámicas (2505, 2506, 2507, 2508) conformadas en la base cerámica unitaria (2510), teniendo cada una de la pluralidad de plataformas (2505, 2506, 2507, 2508) una anchura, una longitud y una altura en relación con un plano de base paralelo a las plataformas, y que forman una estructura escalonada, teniendo cada plataforma una altura diferente en relación con el plano de base;
teniendo cada plataforma (2505, 2506, 2507, 2508) una superficie superior (2101) habilitada para sostener una fuente (303) de láser y al menos un componente óptico (304, 305, 306) en ubicaciones definidas en una superficie superior de la plataforma;
conteniendo cada una de la pluralidad de plataformas cerámicas (2505, 2506, 2507, 2508) un canal (2002, 2103) de refrigeración que se extiende interiormente a lo largo de al menos parte de su longitud desde un primer extremo hasta un segundo extremo a una profundidad definida bajo la superficie superior al menos bajo las ubicaciones definidas, estando los canales (2002, 2103) de refrigeración de las plataformas separados en el espacio unos de otros;
una entrada (1301) de fluido y un colector (2601) de entrada que conecta la entrada de fluido al primer extremo de cada uno de los canales (2002, 2103) de refrigeración de la pluralidad de plataformas cerámicas para distribuir el fluido refrigerante; y
un colector (2602) de salida que conecta los canales de refrigeración desde el segundo extremo de cada uno de los canales (2002, 2103) de refrigeración de la pluralidad de plataformas a una salida (1302) de fluido que dispersa el fluido refrigerante desde el cuerpo de módulo láser.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2016/040125.
Solicitante: Trumpf Photonics, Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 2601 U.S. 130 Cranbury, NJ 08512 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: VETHAKE,THILO, EISENMANN,JEFFREY, HEINEMANN,STEFAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/024 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Disposiciones para el control térmico.
- H01S5/40 H01S 5/00 […] › Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).
PDF original: ES-2758438_T3.pdf
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