Fuente de luz de semiconductor y procedimiento para fabricar una fuente de luz de semiconductor.

Un procedimiento (100) para fabricar una fuente de luz de semiconductor (2) que comprende un sustrato (4),

una secuencia de capas (6) dispuesta encima del sustrato (4) que comprenden una capa emisora de luz (6a) y una capa límite superior (6b) dispuesta encima de la capa emisora de luz, una marca de alineación horizontal (12) y áreas de contacto vertical (14) que comprende:

modelar (S102) la secuencia de capas (6) con el fin de formar simultáneamente una franja emisora de luz (10) para definir la fuente de luz de semiconductor, y una franja de alineación (12) que se extiende en paralelo a la misma;

aplicar (S104) una capa de cobertura (8) sobre la secuencia de capas modelada (6);

caracterizado por:

eliminar simultáneamente (S106) una primera parte de la capa de cobertura (8) con el fin de exponer la franja de alineación como marca de alineación horizontal (12), y segundas partes de la capa de cobertura (8) para exponer, en ambos lados de la franja emisora de luz (10), regiones de la secuencia de capas (6) que están separadas de un borde de entrada de luz (22) o un borde de salida de luz (24) de la fuente de luz de semiconductor, como áreas de contacto vertical (14).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2016/072519.

Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..

Inventor/es: MÖHRLE,MARTIN, THEURER,MICHAEL, SIGMUND,ARIANE, TROPPENZ,UTE.

Fecha de Publicación: 14 de Agosto de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02B6/42 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › Acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos.
H01S5/022 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Soportes; Encapsulados.
H01S5/028 H01S 5/00 […] › Revestimientos.
H01S5/14 H01S 5/00 […] › Láseres de cavidad externa (H01S 5/18 tiene prioridad; acoplamiento de modos o "mode-locking" H01S 5/065).
H01S5/40 H01S 5/00 […] › Disposición de dos o más láseres de semiconductor, no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 tiene prioridad).
H01S5/50 H01S 5/00 […] › Estructuras amplificadoras no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30.

PDF original: ES-2754606_T3.pdf

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