Direccionamiento tridimensional para memoria.

Dispositivo de memoria del cabezal de impresión (110), que comprende:



una serie de bancos de memoria de solo lectura programables (EPROM) borrables (114-1, 114-N), cada uno de los cuales comprende una matriz de memoria EPROM; y

una cantidad de registros de desplazamiento de entrada en serie, salida en paralelo (112-1, 112-N), cada uno conectado a cada banco EPROM de la cantidad de bancos de EPROM (114-1, 114-N), en donde los registros son capaces de generar una dirección EPROM tridimensional basada en señales de entrada, en donde generar la dirección EPROM tridimensional comprende generar varias salidas, las salidas que comprenden:

una señal de datos de selección de fila (118) que especifica una porción de fila de la dirección EPROM tridimensional,

una señal de datos de selección de columna (120) que especifica una porción de columna de la dirección EPROM tridimensional, y

una señal de datos de selección de banco (122) que especifica un banco de EPROM de la cantidad de bancos de EPROM (114-1, 114-N) asociados con la señal de datos de selección de fila (118) y la señal de datos de selección de columna (120), en donde

la señal de datos de selección de banco (122) especifica más de una de la cantidad de bancos de EPROM (114-1, 114-N) asociados con los datos de selección de fila y los datos de selección de columna, para generar una dirección EPROM tridimensional paralela para direccionar simultáneamente una fila y una columna en la cantidad específica de más de uno de los bancos de EPROM.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2014/014014.

Solicitante: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 10300 Energy Drive Spring TX 77389 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: NG,BOON BING, GOY,HANG RU.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C16/08 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras.
  • G11C8/04 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › que utilizan un dispositivo de direccionamiento secuencial, p. ej. registro de desplazamiento, contador (utilizando registros de tipo primero en entrar primero en salir [FIFO] para modificar la velocidad de flujo de datos digitales G06F 5/06; utilizando registros de tipo último en entrar primero en salir [LIFO] para el tratamiento de datos digitales actuando sobre su orden G06F 7/00).
  • G11C8/12 G11C 8/00 […] › Circuitos de selección de grupo, p.ej. para la selección de un bloque de memoria, la selección de un circuito integrado, la selección de una red de celdas.

PDF original: ES-2784236_T3.pdf

 

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