Sensor de imagen con píxeles activos con funcionamiento en modo de obturador global, sustracción del ruido de restablecimiento y lectura no destructiva.

Sensor de imágenes con píxeles activos que consta de una matriz (M) de píxeles (P) organizados por líneas y columnas,

así como un circuito de lectura (CL) que consta de una vía de lectura (VL) distinta para cada columna de píxeles, en el que cada píxel comprende:

- un fotodiodo (PPD),

- un nodo de almacenamiento (FD) de las cargas eléctricas integradas por dicho fotodiodo,

- un transistor de transferencia (T1) para autorizar selectivamente la transferencia de dichas cargas eléctricas desde el fotodiodo al nodo de almacenamiento,

- un transistor de restablecimiento del nodo de almacenamiento (T3) para conectar selectivamente dicho nodo de almacenamiento a una fuente (VSRST) de tensión de restablecimiento (VRST),

- un transistor de selección de línea (T4) para conectar selectivamente dicho píxel a la vía de lectura de la columna a la que pertenece, y

- un transistor (T5) montado como seguidor de tensión para transferir a dicha vía de lectura la tensión en los terminales del nodo de almacenamiento por medio de dicho transistor de selección de línea;

caracterizado porque cada vía de lectura comprende un bloque de sustracción (CND) que tiene dos entradas y una salida, estando dicho bloque de sustracción conectado para recibir en una primera entrada la tensión (VP) en los terminales del nodo de almacenamiento de uno de los píxeles de la columna correspondiente a través del transistor montado como seguidor de tensión y del transistor de selección de línea de dicho píxel y sobre una segunda entrada, una tensión de referencia (VREF) externa a dicha matriz de valor sustancialmente igual a la tensión de restablecimiento de los píxeles de la matriz vista en la entrada de la vía de lectura, y para proporcionar a su salida una señal representativa de una diferencia de los niveles de tensión presentes en sus entradas;

y porque dicho sensor también comprende un controlador (CTR) configurado para pilotar los transistores de los píxeles y el circuito de lectura para:

- efectuar un restablecimiento global de los fotodiodos;

- efectuar un restablecimiento de los nodos de almacenamiento de los píxeles de la matriz y adquirir una primera imagen digital, llamada imagen negra (DIM); después

- realizar una transferencia global de carga de los fotodiodos hacia los nodos de almacenamiento de dichos píxeles; después

- adquirir una segunda imagen digital llamada imagen de integración (IIM);

para realizar una adquisición de imagen en modo de obturador global con sustracción del ruido de restablecimiento y lectura no destructiva de los píxeles de las cargas integradas.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16180798.

Solicitante: Pyxalis.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 170 rue Chatagnon 38430 Moirans FRANCIA.

Inventor/es: CHENEBAUX,GRÉGOIRE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/146 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H04N5/355 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS.H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (detalles de la exploración o su combinación con la producción de las tensiones de alimentación H04N 3/00; adaptados especialmente para la televisión en color H04N 9/00; servidores especialmente adaptados para la distribución de contenido H04N 21/20; Dispositivos de cliente específicamente adaptados para la recepción de, o interacción con, contenidos H04N 21/40). › Control del rango dinámico.
  • H04N5/363 H04N 5/00 […] › aplicado a ruido de puesto a cero, p. ej. ruido KTC.

PDF original: ES-2765877_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Circuito de píxel dinámico de un solo fotodiodo y método de funcionamiento del mismo, del 27 de Mayo de 2020, de Prophesee: Circuito de píxel que comprende: - un circuito de etapa frontal que comprende un único fotodiodo (PD) y que presenta una salida , estando […]

Sensor de imagen, sistema optoelectrónico que comprende dicho sensor de imagen y método de fabricación de dicho sensor de imagen, del 6 de Mayo de 2020, de FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES: Sensor de imagen que comprende una pluralidad de píxeles conectados […]

Dispositivo de captura de imagen de semiconductores, instrumento electrónico y dispositivo de conversión analógico a digital, del 29 de Abril de 2020, de SONY CORPORATION: Un dispositivo de captura de imagen de semiconductores que comprende: una sección de píxel que tiene una pluralidad de píxels ; un comparador […]

Selección de área activa para receptores LIDAR, del 15 de Abril de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un sensor óptico que comprende: una matriz de dispositivos de avalancha de fotones individuales, SPAD, que tiene una pluralidad […]

Sensor de imagen CMOS, del 25 de Marzo de 2020, de Teledyne UK Limited: Un sensor de imagen CMOS (101, 101', 801, 901, 1001, 1101) que comprende: un sustrato o contacto posterior ; una capa activa de un primer tipo de conductividad […]

Sensores de filtro de color, del 29 de Enero de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un dispositivo sensor, que comprende: una matriz de sensores que comprende una pluralidad de sensores, teniendo cada sensor una dimensión de longitud […]

Aparato de detección de luz de alta velocidad, del 8 de Enero de 2020, de Artilux Inc: Un aparato óptico que comprende: un sustrato semiconductor de silicio; una capa de absorción […]

Procedimiento y aparato de procesamiento de imágenes, y dispositivo electrónico, del 25 de Diciembre de 2019, de Guangdong OPPO Mobile Telecommunications Corp., Ltd: Un procedimiento de procesamiento de imágenes, aplicado en un dispositivo electrónico , en el que el dispositivo electrónico comprende […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .