8 inventos, patentes y modelos de Dimroth,Frank Dr

Célula solar múltiple.

(10/07/2019) Célula solar múltiple (MS) que presenta una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2), siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2,…

Célula solar múltiple monolítica.

(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…

Célula solar múltiple monolítica.

(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…

Célula solar múltiple monolítica.

(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor…

Dispositivo y procedimiento para la generación fotovoltaica de hidrógeno.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(06/01/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Clasificación: C25B1/00.

Dispositivo para la generación de hidrógeno a partir de compuestos que contienen hidrógeno, que contiene varias unidades de al menos en cada caso un concentrador óptico para la concentración de luz solar en al menos una célula solar, al menos una célula solar que no está en contacto con los compuestos que contienen hidrógeno, que está conectada eléctricamente con un electrolizador que presenta un ánodo que está en contacto con los compuestos que contienen hidrógeno, y un cátodo, estando dispuestas las unidades en un sistema orientador que sigue la posición del sol y presentando el electrolizador una temperatura de trabajo de -10 ºC a 200 ºC.

PDF original: ES-2562913_T3.pdf

Módulo concentrador fotovoltaico con bastidor multifuncional.

(24/06/2015) Módulo concentrador fotovoltaico con una placa de lentes , una placa de fondo , sobre la que se encuentran dispuestas células solares , y un bastidor , que, uniendo la placa de lentes y la placa de fondo , está dispuesto de forma circunferencial a lo largo del borde de la placa de lentes y de la placa de fondo , caracterizado porque a lo largo del bastidor , entre la placa de lentes y el bastidor y/o la placa de fondo y el bastidor , por una parte se encuentra dispuesta por lo menos una primera masa de obturación y/o una masa adhesiva , y por otra parte por lo menos una segunda masa de obturación se encuentra dispuesta de forma circunferencial en por lo menos…

Módulo de células solares y procedimiento para su fabricación.

(04/07/2012) Módulo de células solares para sistemas solares de concentración con una pluralidad de células solares (5a, 5b, 5c) que están dispuestas en un plano sobre un sustrato plano , presentando las células solares (5a, 5b, 5c) por el lado del sustrato un primer contacto eléctrico y por el lado alejado 5 del sustrato, por lo menos un segundo contacto eléctrico, donde el sustrato está recubierto por la cara orientada hacia las células solares en toda la superficie con una capa metálica, y presentando la capa metálica: a) una pluralidad de secciones planas (12a, 12b, 12c) a las cuales le corresponde a cada una, una célula 10 solar, presentando cada tramo de la capa metálica una zona primera (19a, 19b, 19c) y por lo menos una zona segunda (18a, 18b, 18c) que están eléctricamente aisladas entre sí, extendiéndose…

Componente semiconductor y su uso.

(14/06/2012) Componente semiconductor compuesto por • un sustrato seleccionado de Si, Ge, GaAs, InP, GaSb, • al menos una estructura de capas de un semiconductor III-V y/o SixGe1-x, que forma una unión pn o np, así como • al menos una capa de tampón de un semiconductor III-V para la unión de la al menos una estructura de capas con el sustrato , • adicionalmente al menos una capa de bloqueo de semiconductores compuestos III-V con una dureza cristalina superior a la de la al menos una estructura de capas , que impide o reduce la formación y/o la continuación de defectos de cristal, caracterizado…

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