Material semiconductor con dopaje N que comprende una matriz de óxido de fosfina y un metal dopante.

Un material semiconductor eléctricamente dopado que comprende al menos un elemento metálico en su forma sustancialmente elemental como dopante n y al menos un compuesto matricial de transporte de electrones que comprende al menos un grupo de óxido de fosfina,

en el que el elemento metálico es seleccionado de elementos que forman en su número de oxidación II al menos un compuesto estable y el compuesto matricial de transporte de electrones tiene el potencial de reducción, cuando es medido por voltametría cíclica en las mismas condiciones, inferior al del tris(2-benzo[d]tiazol-2-il)fenoxialuminio, preferentemente inferior al del 9,9',10,10'-tetrafenil-2,2'-biantraceno o al de la 2,9-di([1,1'-bifenil]-4-il)-4,7-difenil-1,10-fenantrolina, más preferentemente inferior al de la 2,4,7,9-tetrafenil-1,10-fenantrolina, aún más preferentemente inferior al del 9,10-di(naftalen-2-il)-2-fenilantraceno, mucho más preferentemente inferior al de la 2,9-bis(2-metoxifenil)-4,7-difenil-1,10-fenantrolina, todavía preferentemente inferior al del óxido de 9,9'-espirobi[fluoreno]-2,7-diilbis(difenilfosfina), y superior al de la N2,N2,N2',N2',N7,N7,N7',N7'-octafenil-9,9'-espirobi[fluoreno]-2,2',7,7'-tetraamina, preferentemente superior al del trifenileno, más preferentemente superior al de la N4,N4'-di(naftalen-1-il)-N4,N4'-difenil-[1,1'-bifenil]-4,4'-diamina, aún más preferentemente superior al del 4,4'-di(9H-carbazol-9-il)-1,1'-bifenilo, mucho más preferentemente superior al del óxido de bis(4-(9H-carbazol-9-il)fenil)(fenil)fosfina, menos pero todavía preferentemente superior al del 3-([1,1'-bifenil]-4-il)-5-(4-(terc-butil)fenil)-4-fenil-4H-1,2,4-triazol y aún menos pero todavía preferentemente superior al del pireno.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14171326.

Solicitante: NOVALED GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: TATZBERG 49 01307 DRESDEN ALEMANIA.

Inventor/es: WERNER,ANSGAR, FADHEL,OMRANE, ROTHE,CARSTEN, BIRNSTOCK,JAN, GILGE,KAI, ANGERMANN,JENS, ZÖLLNER,MIKE, BLOOM,FRANCISCO, ROSENOW,THOMAS, CANZLER,TOBIAS, KALISZ,TOMAS, DENKER,ULRICH.

Fecha de Publicación: 21 de Febrero de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L51/50 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. diodos emisores de luz orgánicos (OLED) o dispositivos emisores de luz poliméricos (PLED) (láseres de semiconductores orgánicos H01S 5/36).
H01L51/54 H01L 51/00 […] › Selección de materiales.

PDF original: ES-2673573_T3.pdf

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