Dispositivo fotovoltaico que incluye nanocristales semiconductores.
Un dispositivo fotovoltaico que comprende:
una primera capa de transporte de carga que incluye un primer material inorgánico en contacto con un primer electrodo dispuesto para introducir carga en la primera capa de transporte de carga;
una segunda capa de transporte de carga en contacto con un segundo electrodo, en donde el segundo electrodo está dispuesto para introducir carga en la segunda capa de transporte de carga; y
una capa de absorción que comprende una pluralidad de nanocristales semiconductores dispuestos entre la primera capa de transporte de carga y la segunda capa de transporte de carga;
en donde la pluralidad de nanocristales semiconductores es una población de nanocristales semiconductores que tienen una desviación de no más del 15 % de media cuadrática en diámetro medio;
en donde la pluralidad de nanocristales semiconductores y al menos un electrodo tienen un desplazamiento de banda prohibida suficiente para transferir un portador de carga desde la pluralidad de nanocristales semiconductores hasta el primer electrodo o el segundo electrodo; y
caracterizado por que la pluralidad de nanocristales semiconductores forman una multicapa de nanocristales.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2007/014762.
Solicitante: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 77 MASSACHUSETTS AVENUE CAMBRIDGE, MA 02139-4307 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: BAWENDI, MOUNGI, G., BULOVIC,VLADIMIR, ARANGO,ALEXI, WOOD,VANESSA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L51/44 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › Detalles de los dispositivos.
- H01L51/46 H01L 51/00 […] › Selección de materiales.
PDF original: ES-2672791_T3.pdf
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