Electrodo transparente para componentes optoelectrónicos.
Componente optoelectrónico sobre un sustrato, que comprende un primer y un segundo electrodo,
en donde el primer electrodo está dispuesto sobre el sustrato y el segundo electrodo forma un contraelectrodo, en donde entre estos electrodos está dispuesto al menos un sistema de capas fotoactivo que comprende al menos un sistema donante-aceptor fotoactivo con materiales orgánicos y una capa de transporte dopada, parcialmente dopada o no dopada, es decir, una capa n o bien p, en donde el contraelectrodo (1) presenta al menos una primera capa (2), el contraelectrodo comprende, además, una primera capa intermedia (3) a base de un metal alcalino o alcalinotérreo o MoOx, en donde la primera capa intermedia (3) está dispuesta entre la primera capa (2) y el sistema de capas fotoactivo del componente, y el contraelectrodo comprende una segunda capa (4) que está dispuesta sobre la primera capa (2) y presenta un grosor de capa entre 10 y 100 nm, y la capa de transporte está dispuesta entre el sistema de capas fotoactivo y el contraelectrodo, caracterizado por que la primera capa comprende una aleación de metales que contiene Ag y la segunda capa presente un índice de refracción n > 2,0.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2013/055425.
Solicitante: Heliatek GmbH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: Treidlerstrasse 3 01139 Dresden ALEMANIA.
Inventor/es: LEO, KARL, UHRICH,Christian, PFEIFFER-JACOB,MARTIN, BEWERSDORFF-SARLETTE,ULRIKE, MEISS,JAN, RIEDE,MORITZ, SCHUBERT,SYLVIO, MÜLLER-MESKAMP,LARS.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L51/44 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › Detalles de los dispositivos.
- H01L51/52 H01L 51/00 […] › Detalles de los dispositivos.
PDF original: ES-2762410_T3.pdf
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