Recubrimiento no metálico y método de su producción.

Un método de formación de un recubrimiento no metálico sobre una superficie de un sustrato metálico o semimetálico que comprende las etapas de:

colocar el sustrato en una cámara electrolítica que contiene un electrolito acuoso, siendo el electrolito acuoso una solución alcalina, y un electrodo, estando al menos la superficie del sustrato y una parte del electrodo en contacto con el electrolito acuoso; y

polarizar eléctricamente el sustrato con respecto al electrodo aplicando una secuencia de impulsos de tensión de polaridad alterna durante un período de tiempo predeterminado, polarizando los impulsos de tensión positiva anódicamente el sustrato con respecto al electrodo, y polarizando los impulsos de tensión negativa catódicamente el sustrato con respecto al electrodo;

en el que los impulsos de tensión tienen una frecuencia de repetición de impulsos de entre 0,1 y 20 kHz; y en el que la amplitud de los impulsos de tensión positiva se controla potenciostáticamente y la amplitud de los impulsos de tensión negativa se controla galvanostáticamente;

en el que los impulsos de tensión tanto positiva como negativa son de forma esencialmente trapezoidal;

en el que la amplitud de cada uno de los impulsos de tensión positiva es de entre 200 voltios y 2.000 voltios, y es constante durante un período predeterminado de tiempo;

donde cada impulso de tensión positiva comprende un intervalo durante el que la tensión se aumenta (Tai) y un intervalo durante el que la tensión se reduce (Tad) y/o cada impulso de tensión negativa comprende un intervalo durante el que la tensión se aumenta (Tci) y un intervalo durante el que la tensión se disminuye (Tcd); y donde cada uno de los intervalos durante los que la tensión se aumenta o se reduce comprende entre el 3 % y el 30 % de la duración total de los impulsos;

comprendiendo dicho sustrato un metal seleccionado del grupo que consiste en aluminio, magnesio, titanio, circonio, tantalio, berilio, o una aleación o un compuesto intermetálico de cualquiera de estos metales, o que está hecho de silicio, germanio o arseniuro de galio.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2012/050268.

Solicitante: Cambridge Nanolitic Limited.

Inventor/es: YEROKHIN,Aleksey, SHASHKOV,PAVEL, KHOMUTOV,GENNADY, USOV,SERGEY.

Fecha de Publicación: 16 de Agosto de 2017.

Clasificación Internacional de Patentes:

C25D11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › Revestimientos electrolíticos por reacción superficial, es decir, que forman capas de conversión.
C25D11/02 C25D […] › C25D 11/00 Revestimientos electrolíticos por reacción superficial, es decir, que forman capas de conversión. › Anodización.
C25D11/04 C25D 11/00 […] › de aluminio o sus aleaciones.
C25D11/06 C25D 11/00 […] › caracterizada por los electrolitos utilizados.
C25D11/26 C25D 11/00 […] › de metales refractarios o sus aleaciones.
C25D11/30 C25D 11/00 […] › de magnesio o sus aleaciones.
C25D11/32 C25D 11/00 […] › de materiales semiconductores.
C25D13/02 C25D […] › C25D 13/00 Revestimientos electroforéticos caracterizados por el proceso (C25D 15/00 tiene prioridad; composiciones para revestimientos electroforéticos C09D 5/44). › con material inorgánico.
C25D21/12 C25D […] › C25D 21/00 Procedimientos para el servicio u operación de las células para revestimiento electrolítico. › Control o regulación.
C25D5/18 C25D […] › C25D 5/00 Revestimientos electrolíticos caracterizados por el proceso; Pretratamiento o tratamiento posterior de las piezas. › Deposiciones utilizando corriente modulada, pulsante o invertida.
H01L23/14 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
H01L23/367 H01L 23/00 […] › Refrigeración facilitada por la forma del dispositivo.
H01L23/373 H01L 23/00 […] › Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.
H05K1/05 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS. › H05K 1/00 Circuitos impresos. › Sustratos de metal aislado.

PDF original: ES-2638666_T3.pdf

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