Materiales termoeléctricos y dispositivos que comprenden grafeno.
Un material compuesto termoeléctrico que comprende:
un material de óxido de metal;
y
grafeno o grafeno modificado disperso a través del material de óxido de metal en el que el grafeno o grafeno modificado está presente en una cantidad inferior al límite de percolación.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2014/050437.
Solicitante: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: Oxford Road Manchester, Greater Manchester M13 9PL REINO UNIDO.
Inventor/es: KINLOCH,IAN, FREER,ROBERT, NORMAN,COLIN, LIN,YUE, SRIVASTAVA,DEEPANSHU.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C04B35/01 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 35/00 Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas (que contienen un metal libre, de forma distinta que como agente de refuerzo macroscópico, unido a los carburos, diamante, óxidos, boruros, nitruros, siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos de metal, p. ej. oxinitruros o sulfuros, distintos de agentes macroscópicos reforzantes C22C ); Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos. › a base de óxidos.
- C04B35/453 C04B 35/00 […] › a base de óxidos de zinc, estaño o bismuto o de sus soluciones sólidas con otros óxidos, p. ej. zincatos, estannatos o bismutatos.
- C04B35/47 C04B 35/00 […] › a base de titanatos de estroncio.
- C04B35/645 C04B 35/00 […] › Sinterización a presión.
- H01L35/22 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con compuestos que contienen boro, carbono, oxígeno o nitrógeno.
- H01L35/26 H01L 35/00 […] › utilizando composiciones cambiantes de manera continua o discontinua en el interior del material.
- H01L35/34 H01L 35/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2660904_T3.pdf
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