Sistema de captación de energía termoeléctrica.
Un aparato que comprende:
una estructura (106,200) en la forma de una lámina (202) que tiene una primera porción (110,
208) con una primera área y una segunda porción (112,210) con una segunda área, y en la que la lámina está doblada de manera tal que la primera porción de la lámina tiene una forma que se ajusta a una superficie curvada de un tubo de conducto (302), y además en la que el doblado de la lámina hace que la segunda porción de la lámina se extienda lejos de la superficie curvada del tubo de conducto y lejos de la primera porción de la lámina; y
un dispositivo de captación de energía (108,201) formado como parte de la estructura (106,200), en la que el dispositivo de captación de energía (108,201) está configurado para generar una corriente eléctrica cuando se produce una diferencia en temperatura entre la primera porción (110,208) y la segunda porción (112,210); en la que el dispositivo de captación de energía toma la forma de una termopila (215) formada en una superficie (214) de la lámina de manera tal que una primera parte (218) de la termopila está formada sobre la superficie de la primera porción de la lámina y una segunda parte (220) de la termopila está formada sobre la superficie de la segunda porción de la lámina, donde la termopila comprende termocuplas (216) conectadas en serie.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/032326.
Solicitante: THE BOEING COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 100 NORTH RIVERSIDE PLAZA CHICAGO, IL 60606-1596 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: MITCHELL,BRADLEY JAMES, LARSEN,TY A, LAIB,TREVOR MILTON, CALLAHAN,KEVIN SCOTT, FLETCHER,HENRY VANRENSSELAER III.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L35/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por la estructura o la configuración de la célula o del termopar que constituye el dispositivo.
PDF original: ES-2590490_T3.pdf
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