Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky sobre un sustrato de diamante.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky, que incluye las etapas siguientes:
a) oxigenar la superficie de una capa semiconductora (105) de diamante monocristalino, de manera que sustituya unas terminaciones superficiales de hidrógeno de la capa semiconductora (105) por unas terminaciones superficiales de oxígeno; y
b) formar, por depósito físico en fase de vapor, una primera capa conductora de óxido de indio-estaño en la superficie de la capa semiconductora (105).
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2014/050952.
Solicitante: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 3, RUE MICHEL-ANGE 75794 PARIS CEDEX 16 FRANCIA.
Inventor/es: EON,DAVID, GHEERAERT,ETIENNE, MURET,PIERRE, PERNOT,JULIEN, TRAORE,ABOULAYE.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
- H01L29/16 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
- H01L29/47 H01L 29/00 […] › Electrodos de barrera Schottky.
PDF original: ES-2625384_T3.pdf
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