DIODO DE SILICIO.

Diodo de silicio que esencialmente se caracteriza por el hecho de estar constituido de un cuerpo base a modo de receptáculo de forma cilíndrica abierto por su parte superior en cuyo fondo es fijada una tableta de silicio a través de una aleación mientras que en la cara opuesta de dicha tableta de silicio se fija uno de los.

terminales con el intermedio de una aleación, siendo posteriormente depositada una resina que cubre parte de la cavidad cilíndrica del receptáculo que es posteriormente llenado por, otra resina epoxi; el otro terminal es unido al cuerpo base a través de un alojamiento de éste.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: FAGOR ELECTROTECNICA, S. C. I..

Fecha de Publicación: 16 de Junio de 1971.

Clasificación antigua:

H01L29/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.

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