Dispositivo monolítico que combina CMOS con sensores magnetorresistivos.

Un dispositivo (100) que comprende

un sustrato (402);

una agrupación (102) de elementos de detección (206) acoplados al sustrato,

en el que cada elemento de detección incluye un sensor magnetorresistivo (208) lineal y un dispositivo de conmutación (210);

una estructura metálica (110) acoplada al sustrato, en el que la estructura metálica se configura para accionarse mediante una señal de accionamiento para generar un campo magnético que abarca los elementos de detección de la agrupación de elementos de detección;

un generador de impulso eléctrico analógico (104) acoplado al sustrato, en el que el generador de impulso eléctrico analógico se configura para producir una señal de desviación de sensor que desvía los sensores magnetorresistivos lineales de la agrupación;

un multiplexor analógico (106) acoplado al sustrato, en el que las salidas de la agrupación se acoplan a las entradas del multiplexor analógico; y

un circuito de acondicionamiento de señal analógica (108) acoplado al sustrato, en el que una salida del multiplexor analógico se acopla a una entrada del circuito de acondicionamiento de señal analógica; en el que la estructura metálica incluye dos líneas de generador de campo magnético (404, 406) opuestas, caracterizado por que

el dispositivo es un dispositivo monolítico,

la agrupación, el generador de impulso eléctrico analógico, el multiplexor analógico y el circuito de acondicionamiento de señal analógica forman un circuito integrado monolítico en el sustrato, y

la estructura metálica incluye además una tercera línea de generador de campo magnético (408) dispuesta de manera que un sensor magnetorresistivo (208) lineal de la agrupación (102) de los elementos de detección (206) se encuentra entre las líneas de generador de campo magnético (404, 406) opuestas y sobre la tercera línea de generador de campo magnético (408).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2013/000397.

Solicitante: Magnomics, S.A.

Inventor/es: CARDOSO,FILIPE ARROYO, DA COSTA,TIAGO MIGUEL LOPES MARTA, GERMANO,JOSE ANTONIO HENRIQUES, PIEDADE,MOISES SIMOES.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01N27/74 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01N INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS (procedimientos de medida, de investigación o de análisis diferentes de los ensayos inmunológicos, en los que intervienen enzimas o microorganismos C12M, C12Q). › G01N 27/00 Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos (G01N 3/00 - G01N 25/00 tienen prioridad; medida o ensayo de variables eléctricas o magnéticas o de las propiedades eléctricas o magnéticas de los materiales G01R). › de fluidos (G01N 24/00 tiene prioridad).

PDF original: ES-2608930_T3.pdf

 

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