Deposición no electrolítica inducida por luz.

Un método para metalizar una célula solar fotovoltaica para depositar una capa de metal sobre la misma,

teniendo dicha célula solar fotovoltaica un lado frontal y un lado posterior y teniendo dicho lado frontal un patrón que comprende metal sobre el mismo, comprendiendo el método las etapas de:

a) poner en contacto la célula solar fotovoltaica con una composición de deposición no electrolítica que comprende:

i) una fuente de iones de plata solubles;

ii) un agente de formación de complejos, para los iones de plata seleccionados entre el grupo que consiste en cianuro, succinimida o succinimida sustituida, hidantoína o hidantoína sustituida, uracilo, tiosulfato, aminas y combinaciones de uno o más de los anteriores; y

iii) agente reductor seleccionado entre el grupo que consiste en formaldehído, glucosa, dextrosa, glioxal, azúcar invertido por ácido nítrico, hidrazina o sulfato de hidrazina, ácidos aldónicos, lactonas aldónicas, sales de Rochelle, iones de cobalto, sales de sulfuro, sales de sulfito, sales de tiosulfato, sales de hipofosfito, sales de borohidruro, alquilamina borano, hidrazinaborano, sales de cianoborohidruro y combinaciones de uno o más de los anteriores; y posteriormente

b) iluminar la célula solar fotovoltaica con energía radiante de una fuente de luz,

donde el lado frontal y el lado posterior de la célula solar se cargan de manera opuesta y los iones metálicos de la solución de deposición no electrolítica se depositan sobre el patrón metálico en el lado frontal de la célula solar, y donde la célula solar no está conectada eléctricamente a una fuente de alimentación externa durante la deposición.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/037456.

Solicitante: MacDermid Acumen, Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 245 FREIGHT STREET WATERBURY, CT 06702 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: MINSEK,DAVID.

Fecha de Publicación: 7 de Diciembre de 2016.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C18/14 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 18/00 Revestimiento químico por descomposición ya sea de compuestos líquidos, o bien de soluciones de los compuestos que constituyen el revestimiento, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento; Deposición por contacto. › Descomposición por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiación corpuscular.
C23C18/16 C23C 18/00 […] › por reducción o por sustitución, p. ej. deposición sin corriente eléctrica (C23C 18/54 tiene prioridad).
C23C18/44 C23C 18/00 […] › utilizando agentes reductores.
H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.

PDF original: ES-2673329_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación, del 1 de Julio de 2020, de Sun Yat-Sen University: Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta, que es a lo largo de la dirección de la […]

Fotoelectrodos de doble cara y método para hacer un fotoelectrodo de doble cara, del 1 de Julio de 2020, de King Abdullah University of Science and Technology: Un fotoelectrodo, que comprende: una primera capa de nanocables de nitruro III; un sustrato transparente, en contacto con la primera capa de nanocables en una […]

Dispositivo fotovoltaico con un conjunto de fibras para seguimiento del sol, del 6 de Mayo de 2020, de FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES: Un dispositivo fotovoltaico que comprende: una célula solar que comprende una capa activa que reside entre la primera capa de contacto […]

CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN, del 16 de Abril de 2020, de FUNDACIÓN CENER ñ CIEMAT: Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo frontal […]

CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN, del 15 de Abril de 2020, de FUNDACION CENER-CIEMAT: Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo […]

Célula solar y método de fabricación para la misma, del 1 de Abril de 2020, de Jun, Young-kwon: Una célula solar que tiene una capa absorbente de luz formada entre dos electrodos que se disponen uno […]

Procedimiento para la fabricación de una célula solar, del 1 de Abril de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento para la fabricación de células solares que comprende las etapas de procedimiento: - poner a disposición una oblea semiconductora con […]

Cuerpo compuesto decorativo con capa eléctricamente conductiva y sensor electrónico, del 26 de Febrero de 2020, de D. Swarovski KG: Elemento ornamental que comprende (a) una piedra ornamental , (b) una capa eléctricamente conductiva en al menos una zona […]