Actuador plano piezoeléctrico de gran desplazamiento a cizalladura.

Actuador piezoeléctrico de gran desplazamiento de cizalladura en una dirección escogida,

que presenta una estructura de emparedado que incluye al menos una capa activa (1) que incluye fibras piezoeléctricas (2) paralelas entre sí e inclinadas con respecto a dicha dirección, estando dicha capa activa colocada entre al menos dos capas (3, 4) portadoras de electrodos (5) dispuestos en orden a poder provocar, previo mando, una variación de longitud de dichas fibras (2), caracterizándose dicho actuador por que:

- el ángulo de inclinación de dichas fibras con respecto a dicha dirección escogida es superior a 2° e inferior a 40°;

- los espacios entre fibras piezoeléctricas de la capa activa están rellenados con un material elástico (10), incompresible y de rigidez dieléctrica superior a la de dichas fibras;

- dicha capa activa incluye al menos dos elementos (8) llamados elementos indeformables, siendo alargados estos elementos, paralelos a dicha dirección escogida y presentando un módulo de tracción al menos igual a 200 GPa;

- los extremos de cada referida fibra (2) están pegados a dichos elementos indeformables (8) con el concurso de una cola rígida (9);

- dichos elementos indeformables (8) están pegados, por una cola rígida (12), a dichas capas portadoras de electrodos (4).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2014/052249.

Solicitante: Office National D'etudes Et De Recherches Aérospatiales (ONERA).

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Chemin de la Hunière 91120 Palaiseau FRANCIA.

Inventor/es: MERCIER DES ROCHETTES,HUGUES, JOLY,DIDIER.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L41/047 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Electrodos.
  • H01L41/08 H01L 41/00 […] › Elementos piezoeléctricos o electroestrictivos.
  • H01L41/09 H01L 41/00 […] › de entrada eléctrica y salida mecánica.
  • H01L41/18 H01L 41/00 […] › para los elementos piezoeléctricos o electroestrictivos.
  • H01L41/27 H01L 41/00 […] › Fabricación multicapa de piezoeléctrico o dispositivos electroestrictivos o partes de los mismos, p. ej: apilando cuerpos piezoeléctricos y electrodos.
  • H01L41/37 H01L 41/00 […] › Materiales compuestos.

PDF original: ES-2647326_T3.pdf

 

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