MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.
Módulo semiconductor de potencia (10) con una placa base (20) o para su montaje directo sobre un cuerpo refrigerante,
estando el módulo semiconductor de potencia compuesto por una carcasa (30) en forma de bastidor, una tapa (70) y al menos un sustrato (50) eléctricamente aislante situado en el interior de la carcasa (30), el cual a su vez está compuesto de un cuerpo de material aislante (52) con varias pistas de conexión metálicas (54) aisladas entre sí y colocadas sobre aquél, componentes semiconductores de potencia (56) situados sobre aquél y unidos según el circuito con las mencionadas pistas de conexión y elementos de conexión dirigidos hacia fuera para los contactos de carga y auxiliares, en el cual al menos una parte de los elementos de conexión de los contactos auxiliares situados en el interior del módulo semiconductor de potencia tienen forma de conectores de contacto que están dispuestos entre las pistas de conexión (54) y los puntos de contacto (78) sobre una placa impresa (71), presentando dicha placa impresa pistas conductoras (72) que unen los puntos de contacto con elementos de contacto (76) dirigidos hacia fuera, estando dispuestos dichos elementos de contac- to (76) en la placa impresa en una posición distinta de la de los puntos de contacto (78), presentado dichos conectores de contacto (60) forma de muelles de contacto y estando la placa impresa (71) insertada en el interior de la tapa (70) con forma de bastidor de tal manera que forma parte de dicha tapa (70).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200, POSTFACH 820 251,90253 NURNBERG.
Inventor/es: STEGER,JURGEN, STOCKMEIER,THOMAS,DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Marzo de 2004.
Fecha Concesión Europea: 3 de Diciembre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L25/07 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
- H01L25/16 H01L 25/00 […] › siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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