Célula solar, módulo de célula solar y procedimiento de fabricación de célula solar.

Una célula solar (10, 210, 310, 410) que comprende un primer sustrato de silicio de tipo conductor (1,

201, 301, 401), una segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor (3) colocada en un primer lado de la superficie principal del sustrato de silicio (1, 201, 301, 401), y una primera capa de silicio amorfo de tipo conductor (5) colocada en un segundo lado de la superficie principal del sustrato de silicio (1, 201, 301, 401), en la que el sustrato de silicio (1, 201, 301, 401) tiene una región de bajo dopaje (11) que ha sido dopada para ser un primer tipo conductor, una primera región de alto dopaje del lado de la superficie principal (12) que es proporcionada entre la región de bajo dopaje (11) y la segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor (3) y tiene una concentración de un primer dopante de tipo conductor superior a la de la región de bajo dopaje (11), y una segunda región de alto dopaje del lado de la superficie principal (213) que es proporcionada entre la región de bajo dopaje (11) y la primera capa de silicio amorfo de tipo conductor (5) y tiene una concentración del primer dopante de tipo conductor superior a la de la región de bajo dopaje (11).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2016/088582.

Solicitante: Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 540-6207 JAPON.

Inventor/es: TOHODA,SATOSHI, SHIGEMATSU,MASATO, MATSUYAMA,KENTA.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/20 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
  • H01L21/265 H01L 21/00 […] › produciendo una implantación de iones.
  • H01L31/044 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › incluyendo diodos de bypass (diodos de derivación en la caja de conexiones H02S 40/34).
  • H01L31/0747 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión de materiales cristalinos y amorfos, p.ej. heterounión con capa fina intrínseca o células solares HIT ®.

PDF original: ES-2817539_T3.pdf

 

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