METODO DE FORMACION DE PUNTOS CUANTICOS PARA EL FUNCIONAMIENTO A LONGITUDES DE ONDA EXTENDIDAS.
Método de formación de la región activa de un dispositivo optoelectrónico que incorpora unos puntos cuánticos semiconductores cuya emisión en estado básico tiene lugar a longitudes de onda mayores que 1350 nm a una temperatura de sustancialmente 293 K,
comprendiendo dicho método las etapas siguientes: hacer crecer una primera capa de puntos cuánticos formada sobre una de entre una capa de sustrato o una capa tampón, sometiéndose a dichos puntos cuánticos de dicha primera capa a una tensión debido a un desajuste de redes entre dicha capa de sustrato y dichos puntos cuánticos de dicha primera capa; hacer crecer una capa separadora sobre dicha primera capa y sometiéndose a dicha capa separadora a una tensión en las zonas tensionadas superpuestas a los puntos cuánticos de dicha primera capa debido un desajuste de redes entre dichos puntos cuánticos de dicha primera capa y dicha capa separadora; hacer crecer una capa activa de puntos cuánticos sobre dicha capa separadora, formándose los puntos cuánticos de dicha capa activa predominantemente sobre las zonas tensionadas de dicha capa separadora de manera que la densidad superficial de puntos cuánticos de dicha capa activa esté sustancialmente determinada por la densidad superficial de puntos cuánticos de dicha primera capa, estando los puntos cuánticos de dicha capa activa en un estado de tensión relajada en el que dichos puntos cuánticos de dicha capa activa están sometidos a menos tensión que los puntos cuánticos que se han hecho crecer sobre una superficie no tensionada, siendo las condiciones de crecimiento para dicha capa activa diferentes a las de la primera capa y escogiéndose apropiadamente, siendo en particular la temperatura del sustrato suficientemente baja, de manera que se preserve sustancialmente dicho estado de tensión relajada y se limite el entremezclado de dichos puntos cuánticos de dicha capa activa con dicha capa separadora; y hacer crecer una capa de revestimiento sobre dicha capa activa, escogiéndose las condiciones de crecimiento para dicha capa de revestimiento apropiadamente, siendo en particular la temperatura del sustrato suficientemente baja, de manera que se preserve sustancialmente dicho estado de tensión relajada y se limite el entremezclado de dichos puntos cuánticos de dicha capa activa con dicha capa separadora y con dicha capa de revestimiento.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: SHERFIELD BUILDING, IMPERIAL COLLEGE,LONDON SW7 2AZ.
Inventor/es: JONES, TIMOTHY, SIMON, HOWE, PATRICK, MURRAY, RAY, LE RU, ERIC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 19 de Mayo de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/34 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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