RESONADOR DE FONONES.

SE ESTABLECE UNA ESTRUCTURA DE DENSIDAD PERIODICAMENTE VARIABLE,

QUE ACTUA COMO RESONADOR PARA FONONES CAPACES DE PARTICIPAR EN INTERACCIONES FONONES-ELECTRONES. ESPECIFICAMENTE, SE ESTABLECE UN RESONADOR DE FONONES QUE ES RESONANTE PARA FONONES DE IMPULSO APROPIADO PARA PARTICIPAR EN TRANSICIONES RADIANTES INDIRECTAS Y/O EVENTOS DE DISPERSION ENTRE VALLES INTERZONALES. PREFERIBLEMENTE, LA ESTRUCTURA ES UNA SUPERRETICULA ISOTOPICA, PREFERIBLEMENTE DE SILICIO. LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION TIENE PROPIEDADES OPTICAS, ELECTRICAS Y/O DE TRANSFERENCIA TERMICA MEJORADAS. TAMBIEN SE ESTABLECE UN METODO PARA PREPARAR LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: PAINTER, BLAND A., III.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 20 LEE HIGHWAY SOUTH, P.O. BOX 477,TROUTVILLE, VA 24175.

Inventor/es: BROWN, THOMAS, G.

Fecha de Publicación: 16 de Junio de 2004.

Fecha Solicitud PCT: 14 de Febrero de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L29/15 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Estructuras con variación de potencial periódica o casi periódica, p. ej. pozos cuánticos múltiples, superredes (sus aplicaciones en el control de la luz G02F 1/017; su aplicación en los láseres de semiconductor H01S 5/34).
H01L29/16 H01L 29/00 […] › incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
H01L31/0352 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01L39/12 H01L […] › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › caracterizados por el material.
H01S5/34 H01 […] › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Azerbayán, Bielorusia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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