SEMICONDUCTOR LASER COMPRIMIENDO UNA PLURALIDAD DE REGIONES ACTIVAS OPTICAMENTE.
Un dispositivo láser semiconductor de área amplia (10) que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas (240);
y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas (245) ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum (77), estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado (245), formando cada región ópticamente pasiva (245) una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: GILBERT SCOTT BUILDING, 10 THE SQUARE,GLASGOW G12 8QQ.
Inventor/es: MARSH, JOHN HAIG, KIM, SHIN-SUNG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 15 de Febrero de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
- H01S5/10 H01 […] › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Estructura o forma del resonador óptico.
- H01S5/12 H01S 5/00 […] › teniendo el resonador una estructura periódica, p. ej. en láseres de realimentación distribuida [DFB] (que comprende una estructura fotónica de banda prohibida H01S 5/11; láseres de emisión superficial H01S 5/18).
- H01S5/34 H01S 5/00 […] › que comprenden estructuras de pozos cuánticos o de superredes, p. ej. láseres de pozo cuántico único [láseres SQW], láseres de pozos cuánticos múltiples [láseres MQW], láseres con heteroestructura de confinamiento separada que tienen un índice progresivo [láseres GRINSCH] (H01S 5/36 tiene prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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