PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir los terminales de conexión.
La conexión eléctrica de un chip de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) montado sobre un circuito integrado (10) comprende los pasos de soldar los electrodos (26, 28) y formar electrodos de control de retícula o de puerta (28) sobre una placa conductora (28) con secciones proyectantes que tienen áreas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión correspondientes. Los terminales de conexión (14, 16) se cubren con una placa metálica, por ejemplo aluminio, y el procedimiento anterior a la soldadura comprende la desoxidación de los terminales de conexión, al deposición de un material antioxidante, la deposición de soldadura, el posicionamiento de los chips con las secciones proyectantes hacia los terminales de conexión y su tratamiento en un horno de fusión. El material antioxidante es del grupo que contiene níquel, cromo, oro o una aleación de estos metales. La desoxidación se efectúa tratando los chips con ácido nítrico. La placa (20) tiene una abertura para el paso del electrodo de la puerta y la interposición de un material aislante en la formación de los electrodos emisores. En la formación de los electrodos emisores, se forma el electrodo de la puerta así como una pista de alimentación aislada del resto del chip. La placa (20) está hecha de metal anodizado, por ejemplo aluminio, y la producción del electrodo de la puerta comprende la formación de un aplaca conductora mediante la metalización de la superficie de la zona anodizada, la formación de la pista de alimentación mediante metalización de la superficie anodizada del chip y la deposición de una capa de material antioxidante sobre las áreas. La pista de alimentación después de su formación se cubre con una capa metálica. El recubrimiento de la pista metalizada se efectúa mediante anodización.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ALSTOM HOLDINGS.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25 AVENUE KLEBER,75116 PARIS.
Inventor/es: CHANGEY, NICOLAS, PETITBON, ALAIN, CROUZY, SOPHIE, RANCHY, ERIC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 8 de Febrero de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/482 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.
- H01L23/492 H01L 23/00 […] › Bases o placas.
- H01L23/52 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
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