PROCEDIMIENTO DE MANDO DEL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS Y UN CIRCUITO INTEGRADO QUE PONE EN OPERACION DICHO PROCEDIMIENTO.
EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE D DE LA REGION DEL EMISOR 14 O DEL COLECTOR 15,
UNA CONEXION ELECTRICA 22. EL INVENTO SE APLICA ESPECIALMENTE A LA CORRECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (RECONFIGURACION, REDUNDANCIA) Y EN LA PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS MUERTAS INTEGRADAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BULL S.A..
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 68, ROUTE DE VERSAILLES,78430 LOUVECIENNES.
Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 27 de Noviembre de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/268 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
- H01L21/28 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
- H01L21/768 H01L 21/00 […] › Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
- H01L23/52 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica en el interior del dispositivo durante su funcionamiento, de un componente a otro.
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