PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE ELECTRODO DE MANDO DE REJILLA PARA TRANSISTOR IGBT.
Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada,
el procedimiento comprende los pasos de formar una capa conductora que cubre una capa aislante, formar una pista de alimentación conductora, y cubrir la pista. Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que se inicia con una placa eléctricamente conductora (20) que se cubre con una capa aislante (22) y que tiene zonas de conexión (26, 28) que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión de un circuito integrado, el procedimiento incluye los pasos de formar una capa conductora (30) que cubre la capa aislante (22); formar una pista conductora de alimentación y cubrir la pista. La placa (20) está hecha de material metálico anodizado, por ejemplo aluminio, y la capa conductora (30) y la pista de alimentación se forman mediante la metalización local de la capa anodizada. La metalización local de la capa anodizada se lleva a cabo mediante tratamiento láser y después del tratamiento láser se aplica una capa de metal a la pista así formada. La pista de alimentación se cubre mediante una segunda capa aislante, que puede hacerse anodizando la pista. La zona de conexión está recubierta además con una capa de un material antioxidante, como por ejemplo, níquel, cromo, oro o una aleación de estos metales.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ALSTOM HOLDINGS.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25 AVENUE KLEBER,75116 PARIS.
Inventor/es: CHANGEY, NICOLAS, PETITBON, ALAIN, CROUZY, SOPHIE, RANCHY, ERIC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 31 de Marzo de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/13 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por su forma.
- H01L23/482 H01L 23/00 […] › formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.
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