EEPROM Y PROCEDIMIENTO PARA LA ACTIVACION DE LA MISMA.
EEPROM con una pluralidad de células de la memoria dispuestos en un campo de células de la memoria que pueden ser direccionadas por medio de líneas de palabra,
de bit y de fuente (WL, BL, SL) para la descripción, escritura y borrado, estando divididas las células de la memoria, que pueden ser direccionadas a través de una línea de palabra (WL) individual, en una pluralidad de grupos, a cada uno de los cuales está asociada una línea de fuente (SL) común separada, caracterizada porque los grupos de células de la memoria de una hilera del campo de células de memoria tienen diferente tamaño.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: ST.-MARTIN-STRASSE 53,81669 MUNCHEN.
Inventor/es: SEDLAK, HOLGER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 11 de Febrero de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/04 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS.
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