SOPORTE PARA UNA PIEZA EN FORMA DE DISCO Y CAMARA PARA UN PROCESO DE VACIO.

EL INVENTO SE REFIERE A UN SOPORTE: FORMADO POR SALIDAS (58) DE GAS DISTRIBUIDAS POR SU SUPERFICIE Y ORIFICIOS (59) DE RETORNO DE GAS:

UTILIZADO PARA LA TRANSMISION DE CALOR POR UNA PIEZA, TRABAJANDO A VACIO Y CARACTERIZADO PORQUE; SE FORMA ENTRE EL SOPORTE (55) Y LA PIEZA UNA CAPA DINAMICA CON GAS; EL GAS DE CONDUCCION DE CALOR ACTUA ENTRE EL SOPORTE (55) Y LA PIEZA Y LA SALIDA (58) DE GAS DESEMBOCA EN UN ESPACI DE DISTRIBUCION CONFORMADO COMO RANURA (52).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Liechtensein.

Dirección: , FL-9496 BALZERS.

Inventor/es: WAGNER, RUDOLF, HIRSCHER, HANS, DR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 10 de Febrero de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C23C16/48 QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por irradiación, p. ej. por fotolisis, radiolisis o radiación corpuscular.
  • C30B25/10 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
  • C30B25/14 C30B 25/00 […] › Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.

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