SISTEMA DE PROCESO SIN AIRE.

UN APARATO Y UN METODO PARA PROCESAR UNA PIEZA DE TRABAJO EN UN AMBIENTE SIN AIRE DEL GAS SELECCIONADO.

UN RECIPIENTE DE PREPARACION TIENE UNA ABERTURA PARA LA ENTRADA DE LA PIEZA DE TRABAJO Y UN DIFUSOR ORIENTADO PARA EMITIR A TRAVES DE LA ABERTURA DEL RECIPIENTE UN FLUJO LAMINAR EN FORMA DE CORTINA DEL GAS SELECCIONADO QUE ENTRA, PURGA EL RECIPIENTE Y EVITA LA INFILTRACION DE AIRE. SE TRANSPORTA LA PIEZA DE TRABAJO SOBRE SU TRANSPORTADOR AL RECIPIENTE DE PREPARACION EN DONDE SE PURGA EL AIRE Y SE SUBSTITUYE POR EL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PROCESO TIENE UN DIFUSOR Y UNA ABERTURA DE ENTRADA PARA PIEZAS DE TRABAJO SIMILARES. SE HACE QUE COINCIDAN LAS ABERTURAS DEL RECIPIENTE DE PREPARACION Y DE PROCESO Y SE INTRODUCE EL TRANSPORTADOR EN EL RECIPIENTE DE PROCESO PARA EL PROCESO DE LA PIEZA DE TRABAJO EN EL AMBIENTE DEL GAS SELECCIONADO SUMINISTRADO POR EL DIFUSOR DEL RECIPIENTE DE PROCESO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 39 OLD RIDGEBURY ROAD,DANBURY, CT 06817-0001.

Inventor/es: NOWOTARSKI, MARK STEPHEN, BRESTOVANSKY, DENNIS FRANCIS, PLANTE, WALTER.

Fecha de Publicación: 16 de Mayo de 1998.

Fecha Concesión Europea: 1 de Abril de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/44 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
C23C16/54 C23C 16/00 […] › Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo.
C30B25/14 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.
C30B31/10 C30B […] › C30B 31/00 Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos. › Recintos de reacción; Empleo de un material específico para este fin.
C30B31/16 C30B 31/00 […] › Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de los gases.
H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

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