PROCEDIMIENTOS Y CIRCUITO PARA LA GENERACION DE IMPULSOS DE CORRIENTE PARA LA PRECIPITACION ELECTROLITICA DE METALES.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA LA GENERACION DE CORRIENTES PULSIFORMES UNIPOLARES O BIPOLARES CORTAS QUE SE REPITEN CICLICAMENTE IG,
IE, PARA LA GALVANIZACION, ASI COMO UNA CIRCUITERIA PARA LA GALVANIZACION CON LA QUE SE PUEDEN GENERAR DICHAS CORRIENTES PULSIFORMES, I G, I E .
DICHOS PROCEDIMIENTOS DE GALVANIZACION SE CONOCEN COMO PROCEDIMIENTOS DE DEPOSICION POR IMPULSOS. SEGUN LA INVENCION SE CONECTA EN SERIE LA BOBINA SECUNDARIA (6) DE UN TRANSFORMADOR DE CORRIENTE (1) AL CIRCUITO DE CORRIENTE CONTINUA DE GALVANIZACION (5), COMPUESTO DE UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA PARA EL BAÑO (2) Y UNA RESISTENCIA DEL BAÑO RB , QUE ESTA CONSTITUIDA POR UNA CELULA DE GALVANIZACION (4).
LA BOBINA PRIMARIA (7) DEL TRANSFORMADOR TIENE UN NUMERO DE ESPIRAS MAYOR QUE LA BOBINA SECUNDARIA. LA BOBINA PRIMARIA SE DIRIGE CON PULSOS DE ALTO VOLTAJE Y COMPARATIVAMENTE DE PEQUEÑA POTENCIA. LA ELEVADA CORRIENTE PULSIFORME EN EL LADO SECUNDARIO COMPENSA TEMPORALMENTE LA CORRIENTE CONTINUA DE GALVANIZACION. LA COMPENSACION PUEDE SER UN MULTIPLO DE LA CORRIENTE DE GALVANIZACION, DE FORMA QUE LOS PULSOS DE DESMETALIZACION SE ORIGINAN CON UNA MAYOR AMPLITUD.
EL CONDENSADOR (10) PRODUCE LA CORRIENTE DE COMPENSACION MEDIANTE CARGA Y DESCARGA. GRACIAS A LA INVENCION SE EVITA UTILIZAR DURANTE LA ELECTRODEPOSICION POR IMPULSOS LOS CONOCIDOS DISYUNTORES DE SOBRECORRIENTE ELECTRONICA QUE RESULTAN CAROS DEBIDO A LAS GRANDES PERDIDAS DE CORRIENTE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: ERASMUSSTRASSE 20,10553 BERLIN.
Inventor/es: HUBEL, EGON.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 27 de Septiembre de 1996.
Fecha Concesión Europea: 27 de Octubre de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25D5/18 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 5/00 Revestimientos electrolíticos caracterizados por el proceso; Pretratamiento o tratamiento posterior de las piezas. › Deposiciones utilizando corriente modulada, pulsante o invertida.
- H03K5/003 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 5/00 Manipulación de impulsos no cubiertos por ninguno de los otros grupos principales de la presente subclase (circuitos de realimentación H03K 3/00, H03K 4/00; utilizando dispositivos magnéticos o eléctricos no lineales H03K 3/45). › Cambio del nivel de corriente continua (reincorporacion de la componente de corriente continua de una señal de televisión H04N 5/16).
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes.
Patentes similares o relacionadas:
Circuito desplazador de nivel de voltaje, del 8 de Enero de 2014, de MOSAID Technologies Inc: Un desplazador de nivel para traducir una señal lógica con los niveles lógicos "1" y "0" que corresponden a los primeros niveles de voltaje alto y bajo, […]
ADAPTACION DEL NIVEL DIGITAL., del 16 de Diciembre de 2003, de PHOENIX CONTACT GMBH & CO. KG: Circuito para la adaptación del nivel del lado de salida de un circuito integrado con baja tensión de señal a un circuito integrado con alta tensión de señal, con una resistencia […]
Preparación de sal de metal noble, un método para la preparación de la misma, y uso para electrochapado, del 25 de Diciembre de 2019, de SAXONIA Edelmetalle GmbH: Preparación de sales metálicas, que no comprende iones de cianuro ni de halógeno, que comprende al menos un alquilsulfonato metálico y tiourea, […]
Soluciones electrolíticas de ácido sulfónico de pureza elevada, del 3 de Abril de 2019, de ARKEMA INC.: Uso en un procedimiento electroquímico de una solución acuosa que comprende un ácido metanosulfónico y concentraciones bajas de compuestos de azufre […]
Procedimiento para la deposición electroquímica de materiales semiconductores y electrolito para el mismo, del 5 de Diciembre de 2018, de Hirtenberger Engineered Surfaces GmbH: Electrolito para la deposición electroquímica de materiales semiconductores, concretamente antimoniuros, arseniuros, seleniuros y telururos, a partir de soluciones […]
Depósito de cromo cristalino, del 7 de Marzo de 2018, de ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH: Un depósito de cromo funcional cristalino que tiene un parámetro de red de 2,8895 ± 0,0025 Å, en el que el depósito de cromo funcional […]
Proceso para rellenar surcos de contacto en microelectrónica, del 23 de Agosto de 2017, de MacDermid Enthone Inc: Proceso para metalizar un elemento de surco de contacto a través de silicio en un dispositivo de circuito integrado semiconductor, comprendiendo […]
Recubrimiento no metálico y método de su producción, del 16 de Agosto de 2017, de Cambridge Nanolitic Limited: Un método de formación de un recubrimiento no metálico sobre una superficie de un sustrato metálico o semimetálico que comprende las etapas de: […]