PROCEDIMIENTO PARA HACER CRECER UNA PELICULA EPITAXIAL SOBRE UNA SUPERFICIE DE UN OXIDO Y PRODUCTO.
UN PROCESO Y ESTRUCTURA EN DONDE UN FILME QUE CONSTA DE UNA PEROVSQUITA O UNA ESPINELA SE CONSTRUYE EPITAXIALMENTE EN UNA SUPERFICIE (22),
COMO UNA SUPERFICIE DE OXIDOS ALCALINOTERREOS, INVOLUCRA LA CONSTRUCCION EPITAXIAL DE PLANOS DE CONSTITUYENTES ALTERNANTES DE OXIDOS METALICOS DE PEROVSQUITA O ESPINELA (20, 26, 28). LA PRIMERA CAPA DE OXIDO ME TALICO CONTRUIDA SOBRE LA SUPERFICIE (22) INCLUYE UN ELEMENTO METALICO QUE PROPORCIONA UN CATION PEQUEÑO EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PEROVSQUITA O ESPINELA, Y LA SEGUNDA CAPA DE OXIDO METALICO CONSTRUIDA SOBRE LA SUPERFICIE (22) INCLUYE UN ELEMENTO METALICO QUE PROPORCIONA UN CATION GRANDE EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PEROVSQUITA O ESPINELA. LA SECUENCIA DE CAPAS QUE INCLUYE LA CONSTRUCCION DEL FILME REDUCE PROBLEMAS QUE RESULTAN EN OTROS CASOS DEBIDOS A LA ELECTROSTATICA INTERFACIAL DE LA PRIMERA CAPA ATOMICA, Y ESTOS OXIDOS SE PUEDEN ESTABILIZAR COMO COMO PELICULAS FINAS COMENSURADAS EN UN ESPESOR DE LA CELULA DE LA UNIDAD O CRECER CON ALTA CALIDAD CRISTALINA HASTA ESPESORES DE 0,5 - 0,7 {ZE}M PARA APLICACIONES EN EQUIPOS OPTICOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LOCKHEED MARTIN ENERGY SYSTEMS, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: P.O. BOX 2009, OAK RIDGE, TN 37831-8243.
Inventor/es: MCKEE, RODNEY A., WALKER, FREDERICK J.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 8 de Diciembre de 1994.
Fecha Concesión Europea: 28 de Junio de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Irlanda, Oficina Europea de Patentes.
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