COMPONENTE SEMICONDUCTOR DESCONECTABLE DE ALTA TENSION.
EN UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION DESCONECTABLE, EN PARTICULAR EN FORMA DE UN GTO, CON UN SUBSTRATO (2) SEMICONDUCTOR EN FORMA DE DISCO, QUE ESTA DISPUESTO DE FORMA CONCENTRICA EN UNA CAJA (10) AISLANTE DE MODO ANULAR ENTRE UN CONTACTO (4) DE CATODO EN FORMA DE DISCO IMPULSABLE MEDIANTE PRESION Y UN CONTACTO (5) DE ANODO EN FORMA DE DISCO EVENTUALMENTE IMPULSABLE CON PRESION, SE CONTACTA SOBRE LA CARA DEL CONTACTO DE CATODO A TRAVES DE UN CONTACTO (7,21) GATE.
EL CONTACTO (4) DE CATODO ESTA UNIDO POR MEDIO DE UNA PRIMERA TAPA (11A) CON LO QUE UN EXTREMO DE LA CAJA (10) AISLANTE Y EL CONTACTO (5) DE ANODO A TRAVES DE UNA SEGUNDA TAPA (11B) ESTAN UNIDOS CON EL OTRO EXTREMO DE LA CAJA (10) AISLANTE, FORMANDO UN ELEMENTO (1) COMPONENTE CERRADO DE FORMA HERMETICA HACIA AFUERA. EL CONTACTO (7) GATE ES IMPULSABLE A TRAVES DE UNA ALIMENTACION (8) GATE GUIADA HACIA AFUERA CON UNA CORRIENTE GATE, CONSIGUIENDOSE CON ELLO UNA UNION CON RESPECTO A LA UNIDAD GATE CON INDUCTIVIDAD DE ACOPLAMIENTO BAJA CON UN MINIMO EN LA ALTERACION EN COMTRAPOSICION DE LOS ELEMENTOS COMPONENTES HABITUALES. LA ALIMENTACION (8) GATE ESTA CONFIGURADA DE FORMA SIMETRICA DE ROTACION Y DISPUESTA CONCENTRICA CON RESPECTO AL CONTACTO (4) DE CATODO, ESTANDO SEPARADA LA ALIMENTACION (8) GATE DEL CONTACTO (4) DE CATODO A TRAVES DE UN AISLANTE INDIVIDUAL, SIENDO LA SEPARACION DE TIPO ELECTRICA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ABB RESEARCH LTD..
Nacionalidad solicitante: Suiza.
Dirección: AFFOLTERNSTRASSE 52,8050 ZURICH.
Inventor/es: GRUNING, HORST, DR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 3 de Diciembre de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/051 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".
- H01L29/41 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.
- H01L29/74 H01L 29/00 […] › Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
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