DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SURCO AISLANTE Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPRENDE UNA REGION TIRISTORA PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA (GR) Y UNA REGION DIODO (DR) CON UN AREA DE AISLAMIENTO (SR) ENTRE ELLAS.
EL AREA DE AISLAMIENTO SE PROVEE CON UN SURCO MULTI-ESTADO O DE VARIAS ETAPAS (30) QUE TIENE ESTRUCTURAS DE PASOS (34, 35). EL SURCO MULTI-ESTADO SE FORMA A TRAVES DE UN PROCESO DE ATAQUE QUIMICO O MORDENTADO EN DOS ETAPAS, Y LAS REGIONES SOBRE-GRABADAS EN LOS ANGULOS DE LA PARTE INFERIOR DEL SURCO MULTI-ESTADO SON RELATIVAMENTE POCO PROFUNDAS. ESTA ESTRUCTURA ES EFECTIVA PARA INCREMENTAR EL VOLTAJE DE RUPTURA O TENSION DISRUPTIVA DE LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y LAS AISLACIONES ENTRE LA REGION TIRISTORA DE PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA Y LA REGION DIODO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 2-3, MARUNOUCHI 2-CHOME CHIYODA-KU,TOKYO.
Inventor/es: TOKUNOH, FUTOSHI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 29 de Mayo de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/332 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tiristores.
- H01L21/76 H01L 21/00 […] › Realización de regiones aislantes entre los componentes.
- H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
- H01L29/74 H01L 29/00 […] › Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
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