DISPOSITIVO DE PROTECCION SCR DE BAJO VOLTAJE DE DISPARO Y ESTRUCTURA.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE LA ENERGIA TRANSITORIA.
EL DISPOSITIVO PROPORCIONA UNA SCR PROVISTA DE UNA TENSION DE DISPARO REDUCIDA
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DAVID SARNOFF RESEARCH CENTER, INC.
SHARP CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 201 WASHINGTON ROAD CN 5300,PRINCETON, NJ 08543-5300.
Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 14 de Mayo de 1990.
Fecha Concesión Europea: 27 de Septiembre de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
- H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
- H01L29/74 H01L 29/00 […] › Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón.
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