DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA.
SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA.
LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DIELECTRICAS SE FORMAN SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURAS DE DEFECTOS DESALINEADOS. LUEGO SE FORMA UNA TERCERA CAPA (UN OXIDO) POR DIFUSION DE UNA ESPECIE OXIDANTE A TRAVES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS DEL SUBSTRATO. LA ESPECIE REACCIONA CON EL SUBSTRATO. LA BAJA DENSIDAD DE DEFECTOS RESULTA DE LA ESTRUCTURA DE DEFECTOS DESALINEADOS DE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS. EN UNA INCORPORACION, LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS SON OXIDOS FORMADOS Y DEPOSITADOS, RESPECTIVAMENTE. LA TERCERA CAPA SE FORMA POR DIFUSION DE OXIGENO A TRAVES DE LAS DOS PRIMERAS CAPAS, DONDE LA INTERFASE ENTRE LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS ACTUA COMO SUMIDERO ATRAPADOR DE DEFECTOS. LA INTERFASE DE OXIDO DE SILICIO TIENE CARACTERISTICAS DESEABLES (ESENCIALMENTE PLANA Y SIN TENSION) DEBIDO A LA FORMACION DE OXIDO EN CONDICIONES PROXIMAS AL EQUILIBRIO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: DOKLAN, RAYMOND H., MARTIN, EDWARD PAUL, JR., ROY, PRADIP KUMAR, SHIVE, SCOTT FRANCIS, SINHA, ASHOK KUMAR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 26 de Abril de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/225 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
- H01L21/314 H01L 21/00 […] › Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
- H01L21/324 H01L 21/00 […] › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
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