DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION CON RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO CONMUTADOR DEL NIVEL DE LIMITACION QUE EXHIBE UNA RESISTENCIA DIFERENCIAL NEGATIVA ASI COMO A LOS DISPOSITIVOS FORMADOS MEDIANTE EL MISMO.
EL METODO COMPRENDE LA DEPOSITACION DE UNA PELICULA DE DIOXIDO DE SILICIO DERIVADA DE UNA RESINA DE SILSESQUIXANO DE HIDROGENO ENTRE AL MENOS DOS ELECTRODOS Y APLICANDO ENTONCES UN VOLTAJE POR ENCIMA DE UN VOLTAJE PREDETERMINADO POR ENCIMA DEL UMBRAL A LO LARGO DE LOS ELECTRODOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD,MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.
Inventor/es: MICHAEL, KEITH WINTON, PERNISZ, UDO C.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 7 de Junio de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/312 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L45/00 H01L […] › Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
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