PROCEDIMIENTO PARA EL REVESTIMIENTO CON SILICE DE SUBSTRATOS.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO DE SILICE EN UN SUSTRATO.
EL METODO CONSISTE EN REVESTIR UN SUSTRATO CON UN PRECURSOR DE SILICE QUE TENGA UN PUNTO DE FUSION ENTRE 50 Y 450 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE. EL REVESTIMIENTO SE CALIENTA A UNA TEMPERATURA SUPERIOR A SU PUNTO DE FUSION EN UN ENTORNO INERTE PARA PERMITIR QUE EL REVESTIMIENTO SE FUNDA Y FLUYA. EL REVESTIMIENTO FUNDIDO SE CALIENTA ENTONCES EN UN AMBIENTE QUE FACILITE AL CONVERSION A SILICE DURANTE UN TIEMPO SUFICIENTE COMO PARA QUE LO CONVIERTA EN SILICE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD, MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.
Inventor/es: BALLANCE, DAVID STEPHEN, CAMILLETTI, ROBERT CHARLES, GENTLE, THERESA EILEEN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 15 de Mayo de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/312 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
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