UN PROCESO TERMICO RAPIDO PARA OBTENER REVESTIMIENTOS DE SILICE.

ESTA INVENCION ESTA BASADA EN EL DESCUBRIMIENTO DE QUE UN PROCESO TERMICO RAPIDO (RTP) PUEDE CONVERTIR REVESTIMIENTOS DE RESINA SILSESQUIOXANA DE HIDROGENO EN REVESTIMIENTOS DE SILICE CERAMICOS.

ESTA TECNICA ES ESPECIALMENTE VALIDA PARA LA APLICACION DE CAPAS DIELECTRICAS Y PROTECTORAS EN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD,MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.

Inventor/es: GENTLE, THERESA EILEEN, CHANDRA, GRISH.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 28 de Febrero de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C04B41/50 QUIMICA; METALURGIA.C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS.C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 41/00 Postratamiento de morteros, hormigón, piedra artificial; Tratamiento de la piedra natural (vidriados distintos a los vidirados en frio C03C 8/00). › con sustancias inorgánicas.
  • C08J3/28 C […] › C08 COMPUESTOS MACROMOLECULARES ORGANICOS; SU PREPARACION O PRODUCCION QUIMICA; COMPOSICIONES BASADAS EN COMPUESTOS MACROMOLECULARES.C08J PRODUCCION; PROCESOS GENERALES PARA FORMAR MEZCLAS; TRATAMIENTO POSTERIOR NO CUBIERTO POR LAS SUBCLASES C08B, C08C, C08F, C08G o C08H (trabajo, p. ej. conformado, de plásticos B29). › C08J 3/00 Procesos para el tratamiento de sustancias macromoleculares o la formación de mezclas. › Tratamiento por energía ondulatoria o radicación corpuscular.
  • H01L21/312 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
  • H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
  • H01L21/56 H01L 21/00 […] › Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.

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